2.4.1CC电路的中频特性(续三)

一、电路分析： 直流分析 ---- 求静态工作点 交流分析 ---- 计算指标，分析波形

在输入端加入直流电压,改变直流电压的数值,求得相应输出电压

为了处理含高铅的镍物料,进行了电解阳极液中深度除铅的实验研究.分析了电解镍含铅量与电解液中Pb2+质量浓度的关系、共沉淀净化除铅的机理及电解液中的Cl-、Fe3+对除铅结果的影响.通过实验研究,确定了采用共沉淀法深度除铅的最优技术参数:氯化钡加入系数为150、除铅温度为55℃、搅拌除铅时间为60 min、喷淋加入氯化钡溶液的时间为21 min、絮凝剂的质量浓度为2.5 g·L-1.实验结果表明:采用氯化钡共沉淀法净化除铅,除铅后电解液中[Pb2+]≤0.0003 g·L-1,渣含镍质量分数小于4%,满足电解镍生产对电解液成分的要求.通过除铅扩大试验,证明了小型试验所确定的技术参数的可靠性,该工艺成功地应用于工业生产实践

MP02XXX190 Series Phase Control dual scr. scr/ diode modules es January 2000 version, DS4479-40 Ds44795.0July2002

用X射线衍射和动电位扫描方法研究了热浸镀锌钢板镀层织构、相分布和耐蚀性的关系.实验结果表明,镀锌层中纯锌相的主要织构组分为{0002}基面织构,当镀锌层厚度增加时,纯锌相中{0002}基面织构密度水平增加,纯锌相自腐蚀电位升高、腐蚀电流密度减小以及耐蚀性增加.X射线衍射分析电化学剥离后的铁锌相,结果表明,镀锌层由纯锌相和合金相组成;电化学实验表明,镀锌层各相耐蚀性不同,合金相的耐蚀性高于纯锌相的耐蚀性,且Fe-Zn合金相的耐蚀性随铁含量的增加而增加

Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Blocking

为了得到电磁净化中间包中流体的流动及传输特性,以及旋转运动在中间包净化钢液中所起的作用,采用中间包物理模拟方法,对电磁净化中间包中不同控流装置配置和旋转速度下的停留时间分布曲线进行了测试,并对流场进行了显示实验.结果表明:电磁净化中间包圆形腔中的旋转运动能够减小中间包中滞留区分数,增加活塞区比例,同时增长平均停留时间,有利于中间包内夹杂物的去除;但旋转速度不是越高越好,存在一个最佳值

he World's Largest-Capacity 8kV/3.6kA Light-Triggered Thyristor by Katsumi sato* Mitsubishi Electric has developed an 8kV/3.6kA light-triggered thyristor (LTT) based on a six inch wafer for power-converter applications in igh-voltage DC transmission and back-to-back systems. New design features give the device

SEMICONDUCTOR Fast Switching Thyristor Replaces July 2001 version, DS4267-40 DS4267-41July2002 FEATURES KEY PARAMETERS Low Switching Losses At High Frequency