半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、 参数 ⚫ 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管

1. 电力电子技术的内容 电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。它主要研究各种电力电子器件， 以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的 电路或装置，以完成对电能的变换和控制。 它既是电子学在强电 (高电压、大电流 )或电工 领域的一个分支，又是电工学在弱电 (低电压、小电流 )或电子领域的一个分支，或者说是强 弱电相结合的新科学。电力电子学是横跨 “ 电 子 ” 、 “电力 ” 和 “控制 ”三个领域的一个新兴工程 技术学科

一、 电容储能特性 二、 电感储能特性 三、 VCR表达式 四、 功率、能量表达式 五、 串、并联等效参数

一、卡诺图化简法直观方便，过程简单明了，但只适合于变量数<=4的函数。 二、Q-M(Quine-McCluskey) 法和卡诺图法的化简思路是一致的:两相邻最小项可以合并,消去一个变量. [1952，1956]

对于 NMOS，B 通常接地；当 时，电子被吸引到栅极下面，形成导电通 道；对于 PMOS，B 通常接正电源；当 时，空穴电子被吸引到栅极下面， 形成导电通道；

一、发射区向基区注入电子 二、电子在基区中边扩散边复合 三、扩散到集电结的电子被集电区收集

13-2基本信号的拉普拉斯变换 1、单位阶跃函数c(t)

13-1拉普拉斯变换 一、拉普拉斯变换的定义(简称拉氏变换) 复数s=+jo

晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件,它是 种可控制的硅整流元件,亦称可控硅

13-4拉普拉斯反变换 一、反变换公式: 二、部分分式展开法,又称海维赛展开定理