SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

13.3摆动混沌现象 研究摆动的理想模型单摆和复摆 一单摆 无伸长的轻线下悬挂质点作无阻尼摆动

教学日历 2003~2004学年秋季学期(2003年9月8日—2002年12月28日) 主讲教师:史琳 教材:《工程热力学》,朱明善、刘颖、林兆庄、彭晓峰合编,清华大学出版社,196 主修学生:热动21、热动22、热动23、建环2 地点:四教4205(周二第三大节1:30-3:05、周四第二大节9:50-12:15)

动力学是什么? 动力学研究物体的机械运动与作用力之间的关系。 如果说,力的作用是改变物体机械运动的原因, 机械运动变化是力对物体作用的结果, 那么,动力学就是从因果关系上论述物体的机械运动

电磁场与带电物质之间存在相互作用,带电物质 在受到电磁场作用时动量会发生变化。由于动量守 恒,电磁场必然也具有动量

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一、目的要求: 了解眼动实验的方法。 二、讲授内容: (一)眼动实验方法的发展 (二)眼动实验原理