4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

一、本章重点 1.技术分析的定义和三大假设的内容。 2.技术分析的四个基本要素。 3.道氏理论对股价变动趋势的分析。 4.波浪理论的基本形态与数浪规则。 5.波浪的涨跌比例与时间之窗分析

第一章总论 第二章渗流物理和过滤理论 第三章过滤式离心机 第四章进动离心机 第五章沉降式离心机 第六章水力旋流器 第七章相似理论与类比设计 第八章粒状滤料过滤装置 第九章纤维深层过滤器 第十章加压过滤 第十一章真空过滤机 第十二章过滤介质 第十三章膜分离方法简介

气相色谱法(GC)是英国生物化学家 Martin a t p等人在研究液液分配色谱的基础 上,于1952年创立的一种极有效的分离方法,它 可分析和分离复杂的多组分混合物。目前由于使 用了高效能的色谱柱,高灵敏度的检测器及微处 理机,使得气相色谱法成为一种分析速度快、灵 敏度高、应用范围广的分析方法。如气相色谱与 质谱(GC-MS)联用、气相色谱与 Fourier红外 光谱(GC一FTIR)联用、气相色谱与原子发射光 谱(GC一AES)联用等

10.1 分销渠道的含义 10.2 分销渠道的组合 10.3 影响分销渠道选择的因素 10.4 分销渠道的管理决策 10.5 中间商的类型与作用 10.6 实体分配

◼ 第一节 环境影响的定量分析 ◼ ——定量表述和分析环境影响 ◼ 第二节 环境保护活动的产业关联分析 ◼ ——从产业角度确定环境保护活动的规模，分析其 与国民经济其他产业之间的关联。 ◼ 第三节 废弃物/污染物排放的结构分解分析 ◼ ——分析各要素变化对排放量动态变化的影响程度

试卷分析: l、学生基本概念、基本理论掌握情况总体较妤,选择和填空题得分率较高。 2、学生运用基本知识、理论分析问题解决问题的能力、创新能力,和实践能力不容 乐观,只有少数学生具备这种能力,反映在试卷上第四题:完成程序缺少部分,丢分 率较高,平时应注意多作这方面的演练 3、4名学生不及格,其中一人只得了27分,平时需要与辅导员沟通,及时了解情 况

一、自然地理环境的整体性。 二、自然地理环境的地域分异 三、 地带性分异规律、 四、非地带性分异规律、 五、地域分异的尺度、 六、地域分异规律的相互关系

分子杂交与印迹技术的原理 核酸分子杂交(nucleic acid hybridization) 在DNA复性过程中,如果把不同DNA单链分子放在同一溶液中,或把DNA与RNA放在一起,只要在DNA或RNA的单链分子之间有一定的碱基配对关系,就可以在不同的分子之间形成杂化双链(heteroduplex)

主要内容： ◼ 成本概念 ◼ 成本函数 ◼ 贡献分析法及其应用 ◼ 盈亏平衡点分析法及其应用 ◼ 成本函数的估计 第一节 成本概念 第二节 成本函数 第三节 贡献分析法及其应用 第四节 盈亏分界点分析法 第五节 成本函数的估计 第六节 利润最大化条件