8-2 在图8-62所示的电路中，设集成运放的最大输出电压为±12V， R1=10KΩ,RF=90KΩ,R’=R1 //RF，Ui=0.5V，求正确情况下的UO。如果 Ui=1.5V，UO又是多大？如果R1因虚焊而断开，电路处于什么工作状 态？UO是多大？如果RF断开，情况又如何？

一、电介质(dielectric)对电容的影响 二、电介质的极化(polarization)

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？  解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏

用电化学阻抗谱（EIS）和开路电位测量法（OCPM）研究了在1mol·L-1盐酸溶液中乌鲁托N（UP）与45#钢的界面吸附及缓蚀行为．EIS表明：随着缓蚀剂UP浓度的增大，吸附膜逐渐形成，电荷传递电阻增大．在缓蚀剂浓度为0．01mol·L-1时，缓蚀效率出现最大值；大于该浓度时，缓蚀效率下降．OCPM表明：加缓蚀剂UP前后体系自腐蚀电位的改变与温度的倒数呈线性关系．UP对阳极过程有抑制作用，是阳极型缓蚀剂；吸附热为一35kJ/mol，吸附形式为物理吸附．

一、电场强度与电势梯度(gradient)

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

一、点电荷电场的电势(electric potential) 点电荷电场力作功

第四章变压器的并联运行 变压器并联运行是电力变压器的实际运行方式。 1本章主要内容:变压器理想并联运行的情况和条件;具体逐一分析不满足这些条件时的问题及实际并联运行的条件。 2本章重点:并联运行的各台变压器如果短路阻抗标ㄠ值大小不同时,它们的负载分配不同,其容量分配与短路阻抗标值之间的关系是:

1. 正确理解放大电路主要性能指标的意义。 2. 掌握直流工作点的设置方法及其稳定的意义；会画放大电路的直流通路；掌握直流工作点的调节方法；能够熟练地估算直流工作点

（1）传统的设计方法 焊接电路图—测试—修改电路—反复—确定—绘制印 制板图（绘图工具）—制作印制板（工艺流程） 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室