5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

氧化-还原过程伴随着火法冶金的始终。例如硫化物的氧化,铁液中各种杂质的去除等 过程都是氧化反应。炼钢过程是典型的氧化反应,本章将以炼钢反应为例,分析氧化反应过 程的特点。现代的各种炼钢方法在加热方式上虽然不同,但是去除杂质的基本过程是一样的。 大多数炼钢过程中去除杂质的主要手段是向熔池吹入氧气(或加入矿石)并加入石灰等材料 造碱性熔渣

4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

一、循环码译码的原理 二、循环码的译码电路------梅吉特译码法（只纠一个错） 三、扩展汉明码的译码 四、缩短循环码的译码 五、捕错译码——原理 六、大数逻辑译码

本书是一本实用性数据库教材，它重点突出应用性与新技术，它将数据库基本原理、技术与应用三者结合于一体，系统性强、基本概念与原理讲述清楚、内容深入浅出、文字浅显易懂、并配有大量辅助性材料。本书由六部分组成，它们是基本原理部分（第一章——第二章），关系数据库系统的原理与技术（第三章——第七章），数据库的设计与管理（第八章——第十章），新型数据库（第十一章——第十三章），数据库应用（第十四章——十六章）最后是数据库实验指导书。本书可作为高等学校计算机应用类专业以及计算机应用相关专业的大学本科数据库课程教材，也可作为数据库应用开发人员的参考资料及相关培训教材

 理解BIST（Built-in Self-Test）的原理  掌握LFSR的原理  掌握BIST的结构

学习目的： 1. 了解TRIZ理论中的发明原理； 2. 基本掌握基于TRIZ理论的专利挖掘方法。 学习重点： TRIZ理论的发明原理的定义和应用

内容要点： 电阻器与电容器 电容器 电感器 变压器 二极管 半导体分立器件 其他常用器件 目的与要求： 了解电阻器、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、场效应管、晶闸管等常用电子元器件的标示方法、主要技术参数以及检测方法 掌握变压器的工作原理 掌握二极管的原理及其伏安特性