Rectifier Diode: Current vs Mounting area

Voclin 1400 V Doc. No. 5SYA 1213-02 Aug 2000 Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Annular gate electrode Industry standard housing Cosmic radiation withstand rating Blocking

问题： 某企业生产电动机，电动机外壳原来为自制， 成本为每台100元，其中：变动成本60元、固定 成本40元。电动机年产量为10万台。另外一企 业愿意以每台80元的价格提供电动机外壳。试 进行自制与外购决策

一、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 1 分，共 15 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要提高放大电路的负载能力，可引入( ) A.串联负反馈 B.电压负反馈 C.并联负反馈 D.电流负反馈

13-1拉普拉斯变换的定义 13-2拉普拉斯变换的基本性质 13-3拉普拉斯反变换 13-4运算电路 13-5应用拉普拉斯变换法分析线形电路

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1. 随着温度升高，二极管的反向电流将 。 2. 差动放大电路提出的主要目的是为了解决普通放大电路的 问题

一、复阻抗复导纳 二、相量图 三、用相量法分析正弦稳态电路 四、正弦交流电路中的功率分析

用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1.PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路，将 IEQ 增大，rbe将___________。 3.集成功放 LM386，共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态

1. .一个直流应变电桥如图。已知：R1=R2=R3=R4=R=120Ω，E=4V，电阻应变片灵敏度 S=2。求：（1） 当 R1 为工作应变片，其余为外接电阻，R1 受力后变化 R1/R=1/100 时，输出电压为多少？（2）当 R2 也改为工作应变片，若 R2 的电阻变化为 1/100 时，问 R1 和 R2 是否能感受同样极性的应变，为什 么？