5.1 氧化还原反应的方向和程度 5.1.1 条件电位 5.1.2 决定条件电位的因素 5.1.3 氧化还原反应进行的程度 5.2 氧化还原反应的速率 5.2.1 浓度的影响 5.2.3 催化剂与反应速率 5.2.4 诱导反应

第2章MCS-51单片机的硬件结构 2.1MCS-51单片机的物理结构及逻辑结构 2.2MCS-51单片机的片外总线结构 2.3MCS-51单片机的存储器配置 2.4CP的时序及辅助电路

221并行口 1选通(STROBE低电平) 10确认(ACKNLG低电平) 2数据位0(DATAO)11忙(BSY) 3数据位1(DATA1)12却纸(PE) 4数据位2(DAT2)13选择(LCT)

利用FEMLAB软件模拟出在2D和3D的情况下微电磁石的电磁感应对磁场强度的影响.因为在3D界面下不能完全将实际模型重建,采用缩小实体的方法,将缩小后的模型在2D环境下模拟,可以显示出与大空间范围构造相似的仿真结果.3D仿真结果显示的大体结构及空间范围的情况与2D仿真结果大致相同,且3D仿真结果的误差在正常情况下至少为10%,因此3D与2D仿真环境下的磁体结构是可以比较的

第2章MCS-51单片机的硬件结构 2.1MC-51单片机的物理结构及逻辑结构 2.2MCS-51单片机的片外总线结构 2.3MCS-51单片机的存储器配置 2.4CPU的时序及辅助电路

1、钢尺量距的方法与计算 2、光电测距的原理与成果计算(难点:光电测距的原理) 3、直线定向概念及直线定向的方法(重点) 4、坐标方位角的推算(重点、难点)

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

第2章接入网体系结构 2.1接入网标准出台与意义 2.2电信网接入体系——G.902 2.3IP网接入网体系——Y.1231 2.4G.902与Y.1231的比较 2.5典型接入技术简介 2.6接入网的管理体系

人教版高中化学必修2第二章　化学反应与能量第二节　化学能与电能习题(2)

第26章量子力学基础 26—1德布罗意物质波假设 26—2代维逊革末实验(电子衍射实验) 26—3不确定关系 (测不准关系) 26—4波函数及其统计意义 26—5薛定谔方程 26—6势阱中的粒子 26—7氢原子的量子力学处理 26—8电子自旋 26—9多电子原子中电子壳层结构