3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应

3.1半导体三极管 3.2共射极放大电路 3.3图解分析法 3.4小信号模型分析法 3.5放大电路的工作点稳定情况 3.6共集电极电路和共基极电路 3.7放大电路的频率响应

第一节直流稳压电源的组成 第二节单相整流电路 第三节滤波电路 第四节稳压电路 第五节集成稳压器

5.3 Junction FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 -FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

整流、滤波后得到的直流电压往往会因为负载改变或电网电压波动而发生变化。因此，整流后必须加一级稳压电路，来获得稳定的直流电压

8.1 反馈的基本概念与分类 8.1.1 什么是反馈 8.1.2 直流反馈与交流反馈 8.1.3 正反馈与负反馈 8.1.4 串联反馈与并联反馈 8.1.5 电压反馈与电流反馈 8.1.6 负反馈放大电路的四种组态 8.2 负反馈放大电路增益的一般表达式 8.3 负反馈对放大电路性能的影响 8.4 深度负反馈条件下的近似计算 8.5 负反馈放大电路设计 8.6 负反馈放大电路的稳定性