第八章晶体的能带结构 前言 物理学前言之一 材料的性质 大规模集成电路

在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

本篇介绍了金属材料的主要性能、金属与合金的晶体结构及结晶过程、铁 碳合金状态图及铁碳合金。学完本篇要求学生了解并掌握金属材料的主要性 能、金属与合金的晶体结构及结晶过程和铁碳合金状态图

一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的

第一节 化学键(自学) 第二节 离子化合物的结构 (总结归纳) 第三节 共价化合物的结构 第四节 金属键与金属晶体 第五节 离子极化

共价结合是靠两个原子各贡献一个电子，形成所谓的共价键。 元素周期表中第 IV 族元素 C( Z = 6 )、Si、Ge、Sn (灰锡)等晶体，属金刚石结构，为共价晶体。 共价键的现代理论以氢分子的量子理论为基础。 两个氢原子 A 和 B，在自由状态下时，各有一个电子，其归一化波函数： A B ϕ and ϕ 每个氢原子中的电子满足薛定谔方程：

实验 1 锯齿波同步移相触发电路与单相桥式半控整流电路实验 3 实验 2 三相桥式全控整流及有源逆变电路实验 8 实验 3 直流斩波电路实验 11 实验 4 电力晶体管(GTR)特性与驱动电路研究 14 实验 5 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性与驱动电路研究 22

一种晶体采取何种基本结合方式取决于原子束缚电子能力的强弱。原子的负电性是用来标志原子得失电子能力的物理量

第 I 族、第 II 族元素及过渡元素都是典型的金属晶体， 它们的最外层电子一般为 1~2 个。组成晶体时每个原子 的最外层电子为所有原子所共有，因此在结合成金属晶 体时，失去了最外层（价）电子的原子实“沉浸”在由 价电子组成的“电子云”中。如图 XCH002_004 所示。 这种情况下，电子云和原子实之间存在库仑作用，体积 越小电子云密度越高，库仑相互作用的能愈低，表现为 原子聚合起来的作用

2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路工作点的稳定 2.5 晶体管放大电路的三种基本接法 2.6 晶体管放大电路的派生电路 2.7 场效应管放大电路