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哈尔滨工业大学:《机械制造技术》第三章 切削过程及控制
文档格式:PPT 文档大小:872.5KB 文档页数:112
在金属切削过程中,始终存在着刀具切 削工件和工件材料抵抗切削的矛盾,从而产 生一系列物理现象,如切削变形、切削力、 切削热与切削温度以及有关刀具的磨损与刀 具寿命、卷屑与断屑等。 研究、掌握并能灵活应用金属切削基本理 论,对有效控制切削过程、保证加工精度和表 面质量,提高切削效率、降低生产成本,合理 改进、设计刀具几何参数,减轻工人的劳动强 度等有重要的指导意义
《光电子学》课程教学资源(阅读材料)第五章 光存储技术
文档格式:PDF 文档大小:990KB 文档页数:35
5.1 存储器概述 5.1.1 存储器的发展 5.1.2 光盘存储的类型 5.1.3 光存储的特点 5.1.4 光盘的性能参数 5.2 光盘存储的工作原理 5.2.1 光盘驱动器的结构 5.2.2 光盘的读/写原理 5.2.3 光盘的格式 5.2.4 光盘的制作 5.3 CD、VCD、DVD、可擦写光盘 5.3.1 CD 5.3.2 VCD 5.3.3 DVD 5.3.4 可擦写光盘 5.4 其它光存储技术 5.4.1 双光子光学存储 5.4.2 光谱烧孔存储技术 5.4.3 电子俘获光存储技术(ETM) 5.4.4 高密度磁光存储技术
《光电子学》课程教学资源(阅读材料)第二章 显示技术
文档格式:PDF 文档大小:957.17KB 文档页数:39
2.1 阴极射线管 2.1.1 黑白显像管 2.1.2 彩色显像管 2.2 液晶显示 2.2.1 液晶的基本知识 2.2.2 扭曲向列型液晶显示(TN-LCD) 2.2.3超扭曲向列型液晶显示(STN-LCD) 2.2.4有源矩阵液晶显示器件(AM-LCD) 2.3等离子体显示 2.3.1气体放电基本知识 2.3.2单色等离子体显示 2.3.3彩色等离子体显示 2.4 其它显示技术 2.4.1 投影显示 2.4.2 真空荧光显示 2.4.3 电致变色显示 2.4.4 电泳显示 2.5 TN型液晶光阀电光特性的实验研究
《光电子学》课程教学资源(阅读材料)第三章 光电转换器件
文档格式:PDF 文档大小:466KB 文档页数:17
3.1光电二极管特性的实验研究 3.2硅光电池特性的实验研究 3.2.1 开路电压与短路电流 3.2.2 伏安特性 3.3 电荷耦合摄像器件 3.3.1 电荷耦合器件工作原理 3.3.2电荷耦合摄像器件工作原理 3.3.3电荷耦合摄像器件的特性参数
华中科技大学:《机械制造技术》 第三章 切削过程及控制
文档格式:PPT 文档大小:869.5KB 文档页数:112
在金属切削过程中,始终存在着刀具切削工件和工件材料抵抗切削的矛盾,从而产生一系列物理现象,如切削变形、切削力、 切削热与切削温度以及有关刀具的磨损与刀具寿命、卷屑与断屑等。 研究、掌握并能灵活应用金属切削基本理论,对有效控制切削过程、保证加工精度和表面质量,提高切削效率、降低生产成本,合理改进、设计刀具几何参数,减轻工人的劳动强度等有重要的指导意义
《材料化学》表面活性剂的类型
文档格式:DOC 文档大小:46.5KB 文档页数:9
1.羧酸盐 肥皂即为一种羧酸盐(一般是脂肪酸钠盐即所谓的钠皂;钾盐为钾皂),低于10个碳 原子的脂肪酸钠亲水性过强,表面活性较低,不适于实际应用;高于18个碳原子的则溶度太 小,也不利于应用。肥皂比较容易制造,物理性质优良,适于制成皂块
清华大学:《有限元分析》课程教学资源(PPT课件)第一章 弹性力学简介(王志诚)
文档格式:PPS 文档大小:641.5KB 文档页数:59
1-1 材料力学与弹性力学 1-2 应力的概念 1-3 位移及应变,几何方程,刚体位移 1-4 应力应变关系,物理方程 1-5 虚功原理及虚功方程 1-6 两种平面问题
《食品工艺学》课程教学资源(讲义)第二章 焙烤食品原料学(2.2)糖
文档格式:DOC 文档大小:22KB 文档页数:3
糖在焙烤食品加工中的使用除了面粉和盐之外,可以说是使用场合最多的一种材料,尤其是甜味食品,其 用量仅次于淀粉。糖除了使焙烤食品具有甜味外,还对面团的物理、化学性质有各种不同影响。因此了解 焙烤食品用糖的种类,糖的特性及糖在焙烤食品中的作用非常重要
济南大学化学化工学院:《功能材料》第七章 稀土发光材料(薄其兵)
文档格式:PPT 文档大小:676.5KB 文档页数:76
1.固体的发光 某一固体化合物受到光子、带电粒子、 电场或电离辐射的激发,会发生能量的吸收 、存储、传递和转换过程。 如果激发能量转换为可见光区的电磁辐 射,这个物理过程称为固体的发光
《半导体物理习题》第四章 半导体的导电性
文档格式:DOC 文档大小:53KB 文档页数:2
例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化
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