第一讲：经典物理学的困难和光的波粒二象性 第二讲：玻尔理论和粒子的波粒二象性 第三讲：本章小结，例题及习题选讲 第四讲：波函数的统计解释和状态叠加原理 第五讲：Schrodinger 方程 第六讲： 定态薛定谔方程 第七讲：一维无限深势阱 第八讲：一维线性谐振子 第九讲：势垒隧穿 第十讲：本章小结，例题及习题选讲 第十一讲：表示力学量的算符 第十二讲：动量算符和角动量算符 第十三讲：氢原子和类氢离子 第十四讲：厄米算符 第十五讲：算符和力学量的关系 第十六讲：对易和测不准关系 第十七讲：本章小结，例题和习题选讲 第十八讲：态的表象 第十九讲：算符的矩阵表示和量子力学公式的矩阵表示 第二十讲：狄拉克符号和么正变换 第二十一讲：粒子数表象 第二十二讲：本章小结，例题和习题选讲 第二十三讲：非简并和简并微扰 第二十四讲：变分法 第二十五讲：与时间有关的微扰 第二十六讲：跃迁几率 第二十七讲：本章小结，例题和习题选讲 第二十八讲：电子自旋 第二十九讲：电子自旋算符和波函数的泡利表象 第三十讲：简单塞曼效应 第三十一讲：角动量的耦合 第三十二讲：全同粒子及全同性 第三十三讲：全同粒子的泡利不相容原理 第三十四讲：两个电子的自旋函数（一） 第三十五讲：两个电子的自旋函数（二） 第三十六讲：本章小结，例题和习题选讲

第十二章张量积与外代数 12-1多重线性映射 12.1.1线性空间的一组基的对偶基的定义 定义12.1对偶空间 设v是k上n维线性空间,E2,Sn是的一组基,则线性函数 f:V→K(K为数域)被f在此组基下的映射法则决定,即f()f(2)f(n)已给 定。现设V内全体线性函数组成的集合为V,则在V内定义加法与数乘如下: (i)f,,+)(a)= f(a)+g(a); (iif EV', k K, f )(a)= (a). 则V关于上述加法、数乘组成K上的线性空间,称为V的对偶空间,记作o(V,K 定义12.2对偶基 假设同定义12.1,定义V内n个线性函数

一､寄存器 寄存器常用于寄存一组二值代码,它被广泛 地用于各类数字系统和数字计算机。 从广义上说寄存器也是一种存储器，但是 它又不同于第九章介绍的半导体存储器。 寄存器的特点： 存数方便，但容量小，一般只能存放一个 或几个字，通常用来暂存运算的中间结果，而 且一旦掉电，存放的数据即丢失

随着半导体技术的发展在一个半导体芯片上集 成的电子元件数目越来越多,并按集成的电子元件数 目的多少划分为: SSI:10门以下/片,每片含100个元件以下

一、特性匹配 1、功能：可以把一个实体的特性复制给另一个或一组实体，使这些实体某些特性或全部特性与源实体相同。 2、 操作： （1）启动特性匹配命令有3种途径： ① 在[标准]工具栏上单击[特性匹配]按扭 ② 单击[修改] →[特性匹配] ③ 在[命令]提示符输入Ma 回车

一、尺寸标注 1、概念 （1）尺寸标注在当前层上生成。 （2）一个尺寸是由四个部分组成： （1）尺寸线 （2）尺寸界线 （3）箭头 （4）尺寸文字

图块是指由多个图形对象组成的实体叫 图块，以一名称来区分，该名称称为图 块名。 组成图块的图形对象可在不同的图层， 具有各自的线型和颜色。 组成图块的图形对象形成一个整体，可 以同时进行复制、移动、旋转、镜像等 操作

一、尺寸标注 1、概念 （1）尺寸标注在当前层上生成。 （2）一个尺寸是由四个部分组成： （1）尺寸线 （2）尺寸界线 （3）箭头 （4）尺寸文字

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

有关概念 一、交配体制（mating system）：确定亲本间交配组合的一系列规则方法。 二、选配（mating）：人为确定个体间交配的策略