1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量:存储器含有存储单元的数量

一、教材 《模拟电路的计算机分析与设计－PSpice 程序应用》 二、上机学时及要求 1. 每人上机 4 次，每次 4 学时。其中，前 2 次安排教师辅导，后 2 次自己上机练习

7.4.1二极管构成的简单逻辑门 7.4.2.1TTL与非门的工作原理(续) (3)输入至少有一个为低时

1．什么是单稳态触发器 触发脉冲未到来时----稳态 触发脉冲到来时 ----暂稳态----经tW----稳态 输出为幅度、宽度固定的矩形脉冲

题4.2.1 设计一个电压串联负反馈放大电路，要 求Avf=100，无反馈时的电压增益Av变化20％时， Avf变化不大于1％。试计算所需的Av及Fv的值

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？  解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏

第一节 热电偶工作原理 第二节 热电偶的材料、结构和种类 第三节 热电偶的冷端补偿 第四节 热电偶的测温电路

1、检测装置的干扰来源分类及原因？ 2、影响系统工作的干扰形成应具备哪些条件？ 3、常见的干扰耦合方式有哪些？ 4、根据干扰进入测量电路的方式与有用信号的关系，可将噪声干扰分为哪两类？ 5、什么是差模干扰？又称什么？如何消除？

第一节 电容式传感器的工作原理 第二节 电容式传感器的类型及特性 第三节 电容式传感器的测量电路

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极