1、实验准备及常规仪器设备使用 2、分立元件及负反馈放大电路设计 3、运放基本应用电路 4、测量放大器 5、晶体管输出特性曲线测试电路 6、LC三点式振荡器 7、模拟乘法器及调幅与检波电路

一、实验目的 了解等电聚焦的原理。通过蛋白质等电点的测定，掌握聚丙烯酰胺凝胶垂直管式等电聚焦电泳技术

The IPMTS.OAT1/T3 Series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients http:/lonsemi.com Excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. The advanced packaging technique provides for a highly efficient micro miniature, space PLASTIC SURFACE MOUNT saving surface mount with its unique heat sink design. The

High power diode laser ROFIN DI Series ROFIN DL X75 750 w ROFIN DL 010 000 W ROFIN DL 015 500 W ROFIN DL 020 2000 w ROFIN DL 025 2500 W ROFIN DL 030 3000 w ROFINI SINAR

Local or remote control Microprocessor controlled RS-232/RS-485 CAN Complete diode laser control Affordably priced and monitoring solution Air or water cooling( specify)

8.3.1 机理 8.3.2 聚苯乙烯薄膜湿敏元件 8.3.3 醋酸纤维有机膜湿敏元件

8.2.1 聚苯乙烯磺酸锂湿敏元件 8.2.2 聚苯乙烯磺酸铵湿敏元件 8.2.3 有机季铵盐高分子电解质湿敏元件 8.2.4 胀缩性有机物湿敏元件

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE RM400DY665 HIGH POWER SWITCHING USE HVDi(High Voltage Diode) Module INSULATED TYPE

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管