电磁感应定律和全电流定律 正弦电磁场 电磁辐射 电磁场基本方程、分界面上的衔接条件 动态位及其积分解 坡印廷定理和坡印廷矢量

历史的回顾 十九世纪四十年代,电磁学的一些在特殊条件下的基本定律已经相继发现,摆在物理学家面前的课题是把已发现的 各个规律囊括起来,建立电磁现象的统一理论

一、十九世纪四十年代 二、电磁学的一些在特殊条件下的基本定律已经相继发现

Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Blocking

1.两个电子自旋的合成 设S1和S2代表两个电子的自旋,它们的总自旋是S=S1+S2,对照角动量合成的一般规则,现在 =j2=1/2,所以总自旋的大小可以取值 S=1.0. 形象地说,当两个电子的自旋互相平行的时候S=1,而当两个电子的自旋反平行的时候S=0 我们还要解决总自旋的本征态如何用各电子的态矢量来表达的问题,换句话说,也就是要计算这个 时候的CG系数

he World's Largest-Capacity 8kV/3.6kA Light-Triggered Thyristor by Katsumi sato* Mitsubishi Electric has developed an 8kV/3.6kA light-triggered thyristor (LTT) based on a six inch wafer for power-converter applications in igh-voltage DC transmission and back-to-back systems. New design features give the device

一、电池反应的能斯特方程 在恒温、恒压下吉布斯函数的增量等于可逆的非体积功——电功

SEMICONDUCTOR Fast Switching Thyristor Replaces July 2001 version, DS4267-40 DS4267-41July2002 FEATURES KEY PARAMETERS Low Switching Losses At High Frequency

VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example:

DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device