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半导体三极合放大电路基碰 一、半导体三极 二、基本放大电路
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3.1 核外电子的运动状态 一、 玻尔的原子结构理论 二、 电子的玻粒二象性 三、 玻函数与原子轨道 四、 概率密度和电子云图形 五、 四个量子数 3.2 核外电子的排布和元素周期律 一、多电子原子的能级 二、核外电子的排布的原则 三、原子的电子层结构和元素周期系 3.3 元素性质的周期性 一、有效核电荷(Z*) 二、原子半径(r) 三、电离能(I) 四、电子亲和能(Y) 五、电负性(x) 六、元素的金属性和非金属性 七、元素的氧化值
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The TA8025P TA8025F is an IC designed for making the esigneo or ma output signal from electromagnetic pick up sensor and etc.... waveform-shaping. The Vth of input has hysteresis that is TA8025P division value between peak voltage of input signal and. Features Input frequency
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为了提高Custom 465马氏体沉淀硬化不锈钢的耐磨性,分别在440、480和520℃对580℃时效后的样品进行了2 h的盐浴渗氮,使用显微硬度计、X射线衍射仪、电化学工作站、球盘式摩擦磨损仪、表面轮廓仪、扫描电镜等设备,研究渗氮温度对Custom 465钢表面物相、硬度、渗层显微形貌、耐蚀性及耐磨性的影响.随着渗氮温度升高,耐蚀性逐渐降低,但表面硬度增加,520℃处理后表面硬度增大到1240 HV,较未处理试样的400 HV明显上升,渗层厚度达到22μm.440℃渗氮后表面物相为氮在马氏体基体中过饱和的α'N,点蚀电位降低约60 m V;480℃时有少量CrN相析出,引起点蚀电位降低约180 mV,同时磨损体积下降约43%;520℃时CrN相的含量明显升高,自腐蚀电位降低约70 mV,无明显的稳态钝化区,磨损体积降低82%,减磨效果明显
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§11.1 方程式的配平 §11.2 原电池 § 11.3 电极电势 § 11.4 电池电势和电极电势的应用 § 11.5 化学电源 § 11.6 电解
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Fast response(tdon 3 FS, doff <6 Hs) Precise timing(Atdoff 800 ns) Patented free floating silicon technology Optimized low on-state and switching losses Very high EMI immunity Cosmic radiation withstand rating
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采用矢量网络参数法在1~18 GHz频段内分别对电阻炉、空气和水浴中冷却的高碳铬铁粉的电磁性能进行研究.随着冷却速率的提高,高碳铬铁粉的相对复介电常数实部和虚部在大多数频率下均增大.空冷和水冷粉料的相对复介电常数虚部在12~18 GHz频率范围内因极化弛豫而产生较大的峰值.同一频率下相对复磁导率实部随冷却速率变化的趋势与相对复介电常数相反.水冷粉料的相对复磁导率虚部在3~5 GHz以外的频段内均大于另两组冷却粉料,且三组粉料的虚部在低频及高频条件下均具有峰值.在2.45 GHz的微波加热频率下,炉冷、空冷及水冷粉料的反射损耗分别为-2.30、-2.15和-2.07 d B.水冷粉料的介电损耗因子及磁损耗因子最大,微波场下具有最佳的升温速率与反应效果
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§1 可逆原电池电动势 §2 可逆原电池热力学 §3 可逆电极电势 §4 浓差电池和液体接界电势 §5 元素电势图和电势-pH图
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分析清楚时序电路的输入条件和输出条件,确定有多少种 输入信息的历史情况,由相应的电路状态记忆,从而确定 原始状态图的状态数 把每一个状态作为电路当时所处的现在状态,根据设计要 求和各种可能的输入情况,确定该时刻的现在的输出和下 一时刻电路的下一个状态,画出状态转换线,注明输入和 输出,完成原始状态图。可多设几个状态,不要发生遗漏 和错误
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概述 组合逻辑电路(简称组合电路)任意时刻的输出信号仅 取决于该时刻的输入信号,与信号作用前电路原来的状 态无关 时序逻辑电路(简称时序电路)任意时刻的输出信号不 仅取决于该时刻的输入信号,而且还取决于电路原来的 状态,即与以前的输入信号有关
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