4.1组合逻辑电路的分析 4.2组合逻辑电路的设计 4.3常用MSI组合逻辑器件及应用 4.4组合逻辑电路中的竞争与冒险

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第2章晶体三极管 概述 2.1放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2晶体三极管的其他工作模式 2.3埃伯尔斯—莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 2.7晶体三极管的应用原理

原子荧光光谱法是1964年以后发展 起来的分析方法。原子荧光光谱法是以 原子在辐射能激发下发射的荧光强度进 行定量分析的发射光谱分析法。但所用 仪器与原子吸收光谱法相近

一. 热辐射(温度辐射) 1.热辐射:任何物体在任何温 度下,由于分子的热运动使物 体向外辐射各种波长的电磁 波

实验一、电子技术实验基础知 一、课程概述(内容要求) 二、基础知识(电子元器件) 三、直流仪器(数字万用表) 四、电阻、电容等元器件测量

第9章高分辩力雷达 9.1高距离分辩力信号及其处理 9.2合成孔径雷达(SAR) 9.3逆合成孔径雷达(ISAR) 9.4陈列天线的角度高分辩力

提高裂纹尖端应力强度因子值的计算精度,对于准确分析受力结构的起裂条件和破坏模式具有重要意义.本文采用3D打印技术获得了不含残余应力的平板模型,高精度打印预置裂纹避免了传统加工过程产生残余应力的缺点;综合考虑奇异场和非奇异场对裂纹尖端区域应力场的影响,引入远场边界控制的三个常数项应力,提出了光弹性多参数法;采用三点弯曲试验,运用最小二乘法计算了不同载荷下纯I型和I-Ⅱ混合型应力强度因子值,并与理论解对比分析.结果表明:对于纯I型应力强度因子,计算结果的平均误差为6.1%,对于I-Ⅱ混合型应力强度因子,计算结果的平均误差分别为6.4%和5.5%,多参数法与理论解相比较小的计算误差验证了该方法的可靠性和准确性,可为精确计算应力强度因子的光弹性实验研究提供借鉴

目录 第1章绪论 第2章雷达发射机 第3章雷达接收机 第4章雷达终端显示器和录取设备 第5章雷达作用距离 第6章目标距离的测量 第7章角度测量 第8章运动目标检测及测速 第9章高分辩力雷达

第17章碱金属和碱土金属 一熔点沸点问题 判断质点之间作用力,晶格能大小 1离子晶体、原子晶体:离子键力,共价 键力,mp较高如NaCl、CaO,C、SiO2 分子晶体:分子间力,mp较低,如CO2