晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件，它是一种可控制的硅整流元件，亦称可控硅

第四章光源和光电检测器 4.1半导体的能带理论 4.2PN结的能带结构 4.3同质结和异质结 4.4发光二极管的工作原理 4.5半导体激光器的工作原理 4.6LD的工作特性 4.7光电检测器的工作原理和主要要求 4.8PIN和APD的工作原理 4.9光电检测器的工作特性

存储器概述 存储器—存放大量二进制数字的器件。 按材料分类 1、磁介质类软磁盘、硬盘、磁带 2、光介质类CD、DVD、MO 3、半导体介质类 FLASH ROM、 SDRAM、 EEPROM 按功能分类 主要分RAM和ROM两类,不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM,磁盘, ROM: CD, DVD, FLASH ROM. EEPROM 性能指标

2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

第7章基本放大电路 7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 7.4场效应晶体管及其放大电路 7.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0 不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改 PROM是可编程只读存储器。 EPROM是可擦除的可编程只读存储器

§1 双极型晶体管（BJT） § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号

8.1半导体三极管 8.2放大电路的组成和基本工作原理 8.3放大电路的基本分析方法(一)工程估算法 8.4放大电路的基本分析方法(二)图解法 8.5工作点稳定的放大电路 8.6射极输出器 8.7多级放大电路 8.8功率放大器

本项目将主要介绍半导体器件中的二极管、三极管、场效应管、晶闸管和单结晶体管的结构、特性、参数和应用。通过各种半导体器件的识别和检测，掌握半导体器件在电子电路中的应用。•掌握半导体和PN结•了解二极管结构、分类、特性和参数•熟悉常用二极管的特性及应用•掌握二极管的检测•掌握晶体三极管的结构和分类•掌握晶体三极管的特性曲线•熟悉晶体三极管的主要参数及选用方法•掌握晶体三极管的检测•掌握场效应管的结构和工作原理•熟悉场效应管的参数和使用特点•掌握场效应管的检测•掌握单向、双向晶闸管的结构、特性和工作原理•了解单向、双向晶闸管的主要参数•掌握单向、双向晶闸管的检测•掌握单结晶体管的工作原理、特性曲线和参数了解单结晶体管的应用