在镍盐溶液中利用脉冲放电技术制备出Ni-P合金粉体,并用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)及差热分析(DTA)等手段研究非晶粉体的晶化行为和组织结构特征.结果表明:Ni-P合金粉体形貌为链枝状,径向可达500nm左右,长度可达数微米.制备的合金粉体为非晶态结构,在280℃以下热处理时没有改变非晶态结构:在300℃开始晶化,析出亚稳相Ni5P2和Ni12P5;在320℃开始析出稳定相Ni和Ni3P;温度升高到400℃时,亚稳相消失.采用Kissinger公式计算出该合金粉体的晶化激活能为291.76kJ·mol-1

①首先检查 CMOS SETUP是否丢失了硬盘配置信息。测量主板上 COMS RAM电路是否为电池有故 障,或元器件(如二极管、三极管、电阻、电容等损坏能原因而CMOS中的硬盘配置参数出 错

重点掌握有效值、平均值和平均功率的应用,掌握非正弦电流电路的计算方法

一、半导体基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、二极管基本电路及其分析方法

采用脉冲放电技术合成Ni-P合金粉体,研究了合金粉体的结构及其对高氯酸铵热分解的影响.结果表明,非晶态Ni-P合金粉体是由微粒组成的团聚结构.脉冲放电电压700、900和1100V对应的弦粒子数依次增大,粉体粒径依次减小,分别为350～500、250～400和150～300nm.Ni-P合金粉体促进高氯酸铵的低温和高温热分解,与纯高氯酸铵相比,高氯酸铵和Ni-P粉体混合物的第1放热峰(低温分解峰)温度降低幅度小于12℃,第2放热峰(高温分解峰)温度降低约53℃;合金粉体粒径减小,第1放热峰强度增强,第2放热峰强度减弱,低温分解失重从高氯酸铵的15.97%增加到42.78%,高温分解失重从81.62%降低到47.58%,高温分解结束时温度的降低幅度为26～43℃

(1)化学反应的实质:a分子轨道在化学反应过程中进行改组,并且 涉及分子轨道的对称性;b.电荷分布在化学反应过程中发生改变, 电子发生转移,在此过程中削弱原有的化学键,同时加强新的化学 键,而电子由电负性小的原子向电负性大的原子转移比较容易

研究了微量元素Cu、Fe、Cr对高速电镀zn-Ni合金的影响并探讨了其作用机理。Cu2+在Zn-Ni镀液中容易析出,但它是一种有害元素;Fe2+、Cr3+则难于析出,镀层中含适量的Fe、Cr可提高Zn-Ni镀层耐蚀性。同时还探讨了微量元素电沉积机理,提出了微量元素从Zn-Ni镀液中电沉积进入镀层的定量判定方法

采用电弧喷涂技术在Q235钢基体上制备了铝涂层,并用完整涂层和局部破坏涂层两种试样进行室内模拟浸泡腐蚀实验,腐蚀介质为3.5% NaCl水溶液,流速为0.6m·s-1,实验温度为50±1℃.结果表明:涂层局部破坏时的腐蚀速度与涂层完好时相差不大;铝涂层表面的均匀腐蚀并不严重,铝涂层的腐蚀主要是由于闭塞电池和活性-钝性腐蚀微电池的联合作用引起的局部腐蚀,主要类型为点蚀,且涂层层状剥落形成蚀坑;腐蚀介质到达基体时,将发生电偶腐蚀,铝涂层会作为牺牲阳极保护基体免受腐蚀

针对非线性、非平稳信号的数据压缩问题,提出了一种基于自适应形态小波的轧机电气信号压缩方法.结合电气信号的形态特征,采用中值算子作为形态小波的更新算子对信号进行分解,从而实现根据信号的局部形态特征,自适应地调整形态小波分解的更新算子.工业现场实际轧机电气信号的数据压缩实验证明:利用这种形态小波信号压缩方法,可以获得高压缩比的信号,并能保留信号的形态特征;同时,这种形态小波信号压缩方法运算量小,可以应用到实时性要求较高的在线监测系统中

多级放大电路的四种常见耦合方式：