第1节 引言 第2节 抽样定理 第3节 脉冲振幅调制 第4节 模划信号的量化 第5节 脉冲编码调制 第6节 增量调制 第7节 PCM与△M的性能比较 第9节 TDM和多路数字电话

1.从 Ln3+的电子构型，离子电荷和离子半径来说明三价离子在性质上的类似性。 2.试说明镧系元素的特征氧化态是＋3，而铈、镨、铽却常呈现＋4，钐、铕、镱又可呈现＋2

世界人口和汽车的增 长趋势如图所示，今 后50年，世界人口将 由60亿增加到100亿， 汽车产量将由7千万增 加到2亿5千万

第一节 语声信号编码的基本概念及分类 第二节 脉冲编码调制——PCM 第三节 差值脉冲编码调制——DPCM 第四节 子带编码——SBC 第五节 参量编码 第六节 GSM及IP电话系统语声编码技术的应用及标准

9.1 Sn在零磁场时Tc为 3.7K，在绝对零度时的临界磁场Hc(0)为 24×103 A/m。求当T 为 2K时的临界磁场Hc。如果 2K时半径为 0.1cm的Sn线通过电流，求在超导线表明的磁 场强度H等于Hc（2K）时的临界电流为多少安培？

9-3 在一半径为R1=6.0cm的金属球A外面套有一个同 心的金属球壳B，已知球壳B的内、外半径分别为 R2=8.0cm, R3=10.0cm.设球A带有总电荷QA=3.0  10 -8 C. 球壳B带有总电荷QB=2.0  10 -8 C

（ 1） 都是非数值型的非线性函数的逼近器、估计器、和动态系统； （2） 不需要数学模型进行描述，但都可用数学工具进行处理； （3）都适合于VLSI、光电器件等硬件实现

一．基本概念： 1． 半导体材料、本征半导体、载流子、杂质半导体（N 型、P 型）及其导电性能 2． PN 结及其 PN 结的单向导电型 3． 二极管、三极管的结构、分类、输入输出特性（曲线）、常用参数

2.1 PLD的基本结构和表示方法 2.2 PLD的分类 2.3 GAL器件的结构及特点 2.4 CPLD的结构及特点 2.5 FPGA的结构特点

第1章 单片机概述 第2章 MCS-51系列单片机结构 第3章 MSC-51指令系统 第6章 存储器与存储器扩展 第4章 MCS-51汇编语言程序设计 第7章 单片机接口技术 第5章 MCS-51定时/计数器和中断系统 第9章 MCS-51单片机应用系统设计 单片机原理及应用 第8章 串行口通信技术