5－1 正弦量 5-2 正弦量的相量表示与相量法 5-3 基尔霍夫定律的相量形式 5-4 电路元件伏安关系的相量形式

以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相

◇4.1 元件库编辑器概述 ◇4.2 新建库及添加新元件 ◇4.3 元件库管理

2. 正弦量的相量表示 3. 电路定理的相量形式； 1. 正弦量的表示、相位差；

2.1 窗口设置 2.2 图纸设置 2.3 网格和光标设置 2.4 其它设置

• 1.1 Protel 99 SE概述 • 1.2 Protel 99 SE基本操作 • 1.3 设计组管理 • 1.4 Protel 99 SE的窗口管理

5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.3 场效应管的高频等效模型 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿

一、复习提问 1.描述任务LED显示电路 2.分支程序和循环程序的设计 二、新授 由任务八LED显示电路的控制程序引入本次课内容

用Mo基合金粉末(含Si,B,Cr,W,Mo,Ni等)作为喷涂材料,利用大气等离子喷涂(APS)技术,在0Cr13Ni5Mo不锈钢基体上制备了钼基非晶纳米晶复合涂层.利用XRD观察了涂层的晶型结构,扫描电镜(SEM)观察涂层的组织形貌,恒电位扫描仪对涂层的电化学特性进行了测试,显微硬度仪测量涂层的显微硬度.实验结果表明,利用等离子喷涂工艺可以制备高硬度的Mo基非晶纳米晶复合涂层,这种涂层结构均匀致密,其显微硬度最高达到1426.9HV.孔隙率约为5.5%.非晶纳米晶复合涂层在3.5%NaCl溶液中存在钝化现象,自腐蚀电流为6.459μA·cm-2,腐蚀速度0.869mm·a-1

一、时序电路(sequential circuit)：电路某一时刻的稳定输出不仅取决于当前输入(present input )，还取决于过去输入(past input)。触发器作为记忆元件保存了过去的输入。 二、现态与次态：过去的输入用触发器的内部状态来表示，称为现态(present state);当前输入之后转变后的状态称谓次态(next state)。时序电路在外部激励下改变状态，因此，时序电路就是有限状态自动机。 三、在描述触发器功能时，我们用了Q0表示现态，Q表示次态。下面我们会用更一般的描述，Qn表示现态，Qn＋1表示次态