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一.组合逻辑电路的特点 电路任一时刻的输出状态只决定于该时刻各输入状态的组合,而与电路的原状态无关
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一、实验目的 l.掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2.学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1.CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中,成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路,CMOS 集成电路的
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一 、 选 择 题 ( 选 择 一 个 确 切 的 答 案 ) 1、波 相 色 谱 分 离 效 果 好 的 一 个 主 要 原 因 是 : A、压 力 高 B、吸 附 剂 的 颗 粒 小 C、流 速 快 D、有 自 动 记 录 2、 蛋 白 质 等 高 分 子 化 合 物 在 水 中 形 成 : A、真 溶 液 B、胶 体 溶 液 C、悬 浊 液 D、乳 状 液
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一、概述 治疗药物监测(therapeutic drug mornitoring,TDM),是在药代动力学原理的指导下,应用现代先进的分析技术,测定血液中或其他体液中药物浓度,用于药物治疗的指导与评价
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8.9.1 电缆障碍产生的原因 8.9.2 电缆障碍修复要求 8.9.3 电缆进潮障碍的排除
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一、与功放比较(从能量角度) 1.功率放大器 将直流电源提供的直流能量转换为按信号规律变化的交 变能量。 特点:被动地,需输入信号控制 2.正弦波振荡器(Sinewave Oscillator) 将直流能量转换为频率和振幅特定的正弦交变能量。 特点:自动地,无需输入信号控制
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3.6.1 负阻器件 3.6.2 负阻振荡原理及其电路 3.6.3 用负阻观点讨论 LC 反馈振荡器
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1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用; 2. 讨论杂质扩散的原理和过程; 3. 对离子注入有一个总体认识,包括它的优缺点; 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性; 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统; 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应; 7. 描述离子注入的各种应用
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第一定律惯性定律( Newton first law任何物体都保持静止或匀速直线运动的状态,直到受到力的作用迫使它改变这种状态为止。 1、定义了物体(质点)的惯性 2、说明了力是物体运动状态改变的原因
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4.1 叠加定理 (Superposition Theorem) 4.2 替代定理 (Substitution Theorem) 4.3 戴维宁定理和诺顿定理 (Thevenin-Norton Theorem) 4.4 特勒根定理 (Tellegen’s Theorem) 4.5 互易定理 (Reciprocity Theorem) 4.6 对偶原理 (Dual Principle)
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