2.4二极管基本电路及其分析方法 2.4.1二极管V-特性的建模 2.4.2应用举例 讲课思路: 1、二极管电路的分析概述 2、二极管状态判断 3、图解分析法 4、等效电路(模型)分析法 5、应用电路分析举例

光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述,这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准 备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性

在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

第一章 半导体器件 第二章 放大电路的基本原理 第三章 放大电路的频率响应 第四章 集成运算放大电路 第五章 放大电路中的反馈 第六章 模拟信号运算电路 第七章 信号处理电路 第八章 波形发生电路 第九章 功率放大电路 第一章 逻辑代数基础 第二章 门电路 第三章 组合逻辑电路 第四章 触发器 第五章 时序逻辑电路 第六章 脉冲产生、整形电路 第七章 数模、模数转换电路

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

8.1 存储设备的分类 8.2 只读存储器ROM 8.3 PROM 8.4 可擦写PROM 8.5 ROM的应用 8.6 RAM(随机访问存储器或叫读写存储器)

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

第一章 绪论 第二章 运算放大器 第三章 半导体二极管及其基本电路 第四章 三极管及放大电路基础 第五章 场效应管放大电路 第六章 模拟集成电路 第七章 反馈放大电路 第九章 信号处理与产生电路