目 录 第一部分 理论 一、专业必修课程 《高等数学(1)》 《高等数学(2)》 《力学》 《热学》 《电磁学》 《光学》 《数学物理方法》 《理论力学》 《原子物理学》 《电动力学》 《量子力学》 《热力学与统计物理》 二、专业选修课程 《电工学》 《高等数学(3)》 《模拟电子线路与实验》 《数字电子线路与实验》 《微机原理》 《通用技术（1）》 《通用技术（2）》 《程序设计语言》 《原子核物理学》 《量子力学(2)》 《电动力学 2》 《中学物理第二课堂》 《电视技术》 《教育测量与教学评估》 《声像技术》 《摄影技术》 《固体物理学》 《中学物理疑难分析》 《物理学史》 《激光原理与应用》 《应用物理技术》 《高考题目研究》 《基础物理专题》 《专业英语》 《基础教育改革》 《中学物理教学法》 《教育技术与技能训练》 《书写技能训练》 《教师语言训练》 《微格教学训练》 《班级管理》 《教育科研训练》 《教育统计学》 《现代物理专题》 第二部分 实验（单独及课内） 《普通物理实验（1）》 《普通物理实验（2）》 《普通物理实验（3）》 《近代物理实验》 《中学物理实验》 《中学物理实验研究与技能训练》 《多媒体课件制作》 《中学物理常用仪器维修》 第三部分 实习、见习、毕业论文 《教育见习（1）》 《教育见习（2）》 《教育见习（3）》 《教育实习》 《毕业论文》

14.1 干扰的来源 14.2 供电系统干扰及其抗干扰措施 14.2.1 电源噪声来源、种类及危害 14.2.2 供电系统的抗干扰设计 14.3 过程通道干扰的抑制措施—隔离 14.3.1 光电隔离的基本配置 14.3.2 光电隔离的实现 14.4空间干扰及抗干扰措施 14.4.1 接地技术 14.4.2 屏蔽技术 14.5 反电势干扰的抑制 14.6 印刷电路板的抗干扰设计 14.6.1 地线及电源线设计 14.6.2 去耦电容的配置 14.6.3 印制板的布线的抗干扰设计 14.7软件抗干扰措施 14.7.1 软件抗干扰的一般方法 14.7.2 指令冗余和软件陷阱 14.7.3 软件滤波 14.7.4 开关量输入/输出软件抗干扰设计 14.8 看门狗定时器的使用

14.1 干扰的来源 14.2 供电系统干扰及其抗干扰措施 14.2.1 电源噪声来源、种类及危害 14.2.2 供电系统的抗干扰设计 14.3 过程通道干扰的抑制措施—隔离 14.3.1 光电隔离的基本配置 14.3.2 光电隔离的实现 14.4空间干扰及抗干扰措施 14.4.1 接地技术 14.4.2 屏蔽技术 14.5 反电势干扰的抑制 14.6 印刷电路板的抗干扰设计 14.6.1 地线及电源线设计 14.6.2 去耦电容的配置 14.6.3 印制板的布线的抗干扰设计 14.7软件抗干扰措施 14.7.1 软件抗干扰的一般方法 14.7.2 指令冗余和软件陷阱 14.7.3 软件滤波 14.7.4 开关量输入/输出软件抗干扰设计 14.8 看门狗定时器的使用

采用典型的电化学渗氢装置,对材料的化学成分、焊接和环境中CO2和NH4+的质量浓度、溶液的pH值对硫化氢应力腐蚀开裂中氢扩散行为的影响进行了研究.结果表明:金属中夹杂物数量、焊缝金属中空位和焊接缺陷使得氢扩散系数增加;在硫化氢环境中,氢扩散稳态电流随pH值的增加而降低,随着NH4+的质量浓度的增加而增加,且增加幅度随着pH值的增加而加大;CO2的质量浓度对氢稳态扩散电流的影响是随着pH值的变化而起着不同的作用,在低pH值条件下氢稳态扩散电流随着CO2的质量浓度增加而增加,在较高的pH值中氢稳态扩散电流随着CO2的质量浓度增加而减小

第一章 数字电路实验的基本知识 .1 1.1 数字集成电路 .1 1.2 数字实验 . 2 第二章 数字电路实验.7 实验一 常用电子仪器的使用.7 实验二 门电路的逻辑功能测试及功能转换 .9 实验三 SSI 组合逻辑电路的设计 .16 实验四 MSI 组合逻辑电路的设计 .23 实验五 时序逻辑电路的设计 .26 实验六 555 集成定时器及其应用 .29 第三章 数字电路课程设计 .31 课程设计 1：交通灯逻辑控制电路设计 .31 课程设计 2：十翻二运算电路设计 .37 课程设计 3：数字电子钟逻辑电路设计 .42 附录 部分集成电路引脚图.37

对N80钢在不同CO2压力下进行高温、高压腐蚀实验,根据失重法计算N80钢的腐蚀速率,利用扫描电镜观察腐蚀产物膜的微观形态,分析腐蚀产物膜的厚度和Ca元素含量,利用电化学阻抗谱和极化曲线法测试了腐蚀产物膜的电化学性能,并对腐蚀产物膜与基体间的剪切强度进行了测试.结果表明,随CO2压力增加,N80钢腐蚀速率增大;腐蚀产物膜晶粒尺寸基本不变,膜中微观缺陷数量逐渐增多;腐蚀产物膜电阻和反应电阻呈逐渐增加的趋势;腐蚀产物膜与N80钢基体结合的剪切强度下降,促进了N80钢的腐蚀

采用开路电位、电化学阻抗谱(EIS)、Mott-Schottky曲线和浸泡腐蚀实验研究了2507双相不锈钢在含不同浓度(0,0.001和0.01 mol·L-1)NaHSO3模拟海水中的腐蚀行为. 研究表明:开路电位随NaHSO3浓度的增加而负移,腐蚀倾向增大;电荷转移电阻Rt随浓度的增加而减小,耐蚀性降低;2507不锈钢的腐蚀形态为局部腐蚀,点蚀程度随浓度升高有所加剧,腐蚀速率随浓度的增加而增大;Mott-Schottky曲线和成膜后电化学阻抗谱测试表明,NaHSO3的加入增加了2507不锈钢表面钝化膜的点缺陷浓度,降低了钝化膜的稳定性,电荷转移阻力减小,腐蚀更容易发生. 这可能归因于NaHSO3的加入增加了模拟海水的酸度,并随NaHSO3浓度的增加促进了不锈钢表面钝化膜的破坏

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出

单宁酸由于环保、价格低的特点在金属保护方面应用广泛，然而单一利用单宁酸作为缓蚀剂取得的效果有限，有研究表明盐类与缓蚀剂复配可以改善缓蚀剂的缓蚀效果。在此基础上进行单宁酸复配缓蚀剂的研究，采用两种复配剂氯化铁、钼酸钠分别与单宁酸（TA）缓蚀剂进行复配，研究其对碳钢Q235的缓蚀效果。通过硫酸铜点滴实验、浸泡实验、电化学实验对比氯化铁、钼酸钠分别与单宁酸复配后在碳钢表面的成膜特性及缓蚀效果。硫酸铜点滴液变色时间随着单宁酸中氯化铁和钼酸钠两种化合物浓度的升高出现先增加后降低的趋势；浸泡实验可以看出在单宁酸中加入氯化铁和钼酸钠后，碳钢表面仅出现个别点蚀坑；根据电化学测试结果，对比加入氯化铁前后单宁酸缓蚀剂对碳钢的缓蚀效果，发现两者的电荷转移电阻由2698变为3711 Ω·cm2，腐蚀电流密度由2.734降为1.902 μA·cm?2。加入钼酸钠后，电荷转移电阻和腐蚀电流密度存在明显的增加与下降，电荷转移电阻由2698变为5100 Ω·cm2，腐蚀电流密度由2.734降为0.714 μA·cm?2。在单宁酸中添加氯化铁和钼酸钠都能改善单宁酸的缓蚀效果，其中单宁酸与钼酸钠复配的缓蚀效果更好

2.1 AT89S52单片机的硬件组成 2.2 AT89S52的引脚功能 2.2.1 电源及时钟引脚 2.2.2 控制引脚 2.2.3 并行I/O口引脚 2.3 AT89S52的CPU 2.3.1 运算器 2.3.2 控制器 2.4 AT89S52的存储器结构 2.4.1 程序存储器空间 2.4.2 数据存储器空间 2.4.3 特殊功能寄存器 2.4.4 位地址空间 2.4.5 存储器结构总结 2.5 AT89S52的并行I/O端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 时钟电路与时序 2.6.1 时钟电路设计 2.6.2 时钟周期、机器周期、指令周期与指令时序 2.7 复位操作和复位电路 2.7.1 复位操作 2.7.2 复位电路设计 2.8 AT89S52单片机的最小应用系统 2.9 看门狗定时器（WDT）功能简介 2.10 低功耗节电模式 2.10.1 空闲模式 2.10.2 掉电运行模式