5.3电子电导 5.3.1载流子的散射概述

《电力电子装置设计与应用》逆变电路输出电压

采用硅钢自动测量装置及X射线衍射仪检测出样品在实验前后的磁性能参数和织构强度.结果表明:较低的电压、9 Hz、较长的处理时间以及退火温度为650℃有利于增高铁损降低比例;较低的电压、较高的频率以及退火温度为650℃有利于增加磁感应强度增高比例.最佳的提高磁性能的实验参数是:频率为9 Hz,电压为500 V,处理时间为6 min,退火温度为650℃.通过织构分析可以验证:取向硅钢磁感应强度的变化取决于{110}晶粒取向度值,而{110}取向度值可看成是一个反映总体平均偏离角大小情况的综合值

《电力电子装置设计与应用》典型输出电路的传输特性

《电工电子学课程教学讲义（电工技术）第一章 电路的基本概念与基本定律

3.6 算数运算电路 3.8 奇偶校验电路

3.1组合逻辑电路特点及表示方法 3.2 SSI组合电路的分析与设计 3.3常用组合逻辑电路 3.4译码器 3.5 数据分配器和数据选择器 3.6 数值比较电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

研究了电渣重熔过程中CrNiMoV钢中镁含量的控制技术.结果表明：最佳的渣系（质量分数）为62%CaF2-10%Al2O3－12%CaO-16%MgO;脱氧剂加入量为1kg钢加入1.5gCasi;采用较高镁含量的电极和较高的重熔电流有助于获得设计镁含量的重熔锭

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路