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工艺条件对电积法制备铜粉的影响
文档格式:PDF 文档大小:875.25KB 文档页数:6
采用不溶阳极电积法制备铜粉,研究了Cu2+质量浓度、硫酸质量浓度、电流密度、电解液温度和刮粉周期对电积过程和铜粉中位粒径的影响.结果表明:优化工艺为Cu2+质量浓度15 g·L-1、硫酸质量浓度140 g·L-1条件下,控制电流密度为1 800 A·m-2、温度为35℃、刮粉周期为30min、循环流量为14 L·h-1以及极距为4.5 cm,可得到高品质的铜粉,其粒度呈正态分布,微观形貌呈树枝状;增加铜离子质量浓度、硫酸质量浓度和电解液温度有利于降低槽电压;增加Cu2+质量浓度、电解液温度和刮粉周期有利于提高电流效率;大电流密度、高硫酸质量浓度和低Cu2+质量浓度有利于得到粉末粒度小的铜粉
电沉积因瓦合金镀层成分的影响因素
文档格式:PDF 文档大小:789.54KB 文档页数:5
采用电沉积方法在硫酸盐体系中制得了Fe-Ni合金镀层.研究了Fe2+与Ni2+的摩尔比、氯化亚铈浓度、抗坏血酸浓度、镀液温度、pH、阴极电流密度和电沉积时间对镀层铁含量的影响规律,确定了适宜电沉积因瓦合金的最佳工艺条件,并采用EDS,XRD和TEM对所得镀层进行了分析.验证性实验结果表明,制备的镀层具有与因瓦合金相似的成分,其Fe和Ni质量分数分别为61.8%~62.1%和37.9%~38.1%,它是由单一的纳米晶γ固溶体组成
《无机材料物理性能》第五章 导电性能(5.3)电子电导
文档格式:PPT 文档大小:39.5KB 文档页数:5
5.3电子电导 5.3.1载流子的散射概述
《电力电子装置设计与应用》逆变电路输出电压
文档格式:PPT 文档大小:330KB 文档页数:12
《电力电子装置设计与应用》逆变电路输出电压
脉冲电场对取向硅钢磁性能及织构的影响
文档格式:PDF 文档大小:545.63KB 文档页数:5
采用硅钢自动测量装置及X射线衍射仪检测出样品在实验前后的磁性能参数和织构强度.结果表明:较低的电压、9 Hz、较长的处理时间以及退火温度为650℃有利于增高铁损降低比例;较低的电压、较高的频率以及退火温度为650℃有利于增加磁感应强度增高比例.最佳的提高磁性能的实验参数是:频率为9 Hz,电压为500 V,处理时间为6 min,退火温度为650℃.通过织构分析可以验证:取向硅钢磁感应强度的变化取决于{110}晶粒取向度值,而{110}取向度值可看成是一个反映总体平均偏离角大小情况的综合值
《电力电子装置设计与应用》典型输出电路的传输特性
文档格式:PPT 文档大小:83KB 文档页数:4
《电力电子装置设计与应用》典型输出电路的传输特性
《电工电子学课程教学讲义(电工技术)第一章 电路的基本概念与基本定律
文档格式:PPT 文档大小:465.5KB 文档页数:48
《电工电子学课程教学讲义(电工技术)第一章 电路的基本概念与基本定律
东北大学:《数字逻辑与数字系统》课程教学资源(PPT电子教案,第3版)第3章 组合逻辑电路(3.6-3.8)
文档格式:PPT 文档大小:1.74MB 文档页数:64
3.6 算数运算电路 3.8 奇偶校验电路
东北大学:《数字逻辑与数字系统》课程教学资源(PPT电子教案,第3版)第3章 组合逻辑电路(3.1-3.6)
文档格式:PPT 文档大小:5.41MB 文档页数:191
3.1组合逻辑电路特点及表示方法 3.2 SSI组合电路的分析与设计 3.3常用组合逻辑电路 3.4译码器 3.5 数据分配器和数据选择器 3.6 数值比较电路
东北大学:《数字逻辑与数字系统》课程教学资源(PPT电子教案,第3版)第2章 集成逻辑门电路(2.4)MOS逻辑门(2/2)
文档格式:PPT 文档大小:2.05MB 文档页数:70
一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路
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