为了克服传统辊弯工艺和设备对室温下高强钢的影响,提出弯角局部感应加热辊压成形工艺制备高强钢方管,并通过单向拉伸试验、断口形貌观察、微观组织扫描电镜观察和X射线衍射分析研究热辊压成形温度对高强钢方管弯角处组织及力学性能的影响.结果表明,随着温度的升高,弯角力学性能得到明显的改善,断口形貌由室温下解理断裂逐渐过渡为韧性断裂,弯角处微观组织由板条状贝氏体向粒状贝氏体发展且多边形铁素体晶粒开始长大,方管外表面周向和纵向残余应力都明显降低且分布更加合理.综合实验分析,高强钢方管热辊压成形工艺的最佳温度为650℃

利用实验及CFD模拟软件分别研究非空调工况下以及空调工况的送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及送氧方式、不同的气流组织形式(同侧上送下回、异侧上送下回)等发生变化对密闭建筑缺氧房间的富氧特性及富氧效果的影响. 结果表明: 非空调工况下, 送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及送氧方式不同, 所形成的富氧区域差别较大, 宜采用管径为6 mm的相背45°的双送氧口进行送氧, 所形成的富氧面积为最大; 空调工况下, 送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及气流组织形式不同, 所形成的富氧区域形状大体相似, 均为\椭圆\形状, 宜采用送氧口管径为6 mm的单送氧口且异侧上送下回的气流组织形式; 空调工况下, 送氧流量相同时, 送风风速为0.85 m·s-1所形成的富氧面积比送风风速为1 m·s-1所形成的富氧面积大约20%;当送风风速均为0.85 m·s-1, 送氧流量为1.5 m3·h-1所形成的富氧面积约为0.96 m2, 该富氧面积与单人次活动范围面积相当, 适宜作为空调工况下缺氧房间单人次的富氧基础供氧量. 模拟结果可为缺氧空调房间供氧装置的选择、布置、降低新风量、降低空调能耗等方面提供参考

第一部分 导论 第1章 投资环境 第2章 金融市场与金融工具 第3章 证券是如何交易的 第4章 共同基金和其他投资公司 第5章 利率史与风险溢价 第二部分 资产组合理论 第6章 风险与风险厌恶 第7章 风险资产与无风险资产之间的资本配置 第8章 最优风险资产组合 第三部分 资本市场均衡 第9章 资本资产定价模型 第10章 单指数与多因素模型 第11章 套利定价理论 第12章 市场的有效性 第13章 证券收益的经验根据 第四部分 固定收益证券 第14章 债券的价格与收益 第15章 利率的期限结构 第16章 固定收入资产组合的管理 第五部分 证券分析 第17章 宏观经济分析与行业分析 第18章 资本估价模型 第19章 财务报表分析 第六部分 期权、期货与其他衍生工具 第20章 期权市场介绍 第21章 期权定价 第22章 期货市场 第23章 期货与互换：详细分析 第七部分 资产组合管理的应用 第2 4章 资产组合业绩评估 第2 5章 国际分散化 第2 6章 资产组合的管理过程 第2 7章 风险管理与套期保值 第2 8章 积极的资产组合管理理论

1．叠加定理的验证„„„„„„„„„„„„„„„„„„1 2．戴维南定理的验证„„„„„„„„„„„„„„„„„3 3．常用电子电子仪器的使用„„„„„„„„„„„„„„6 4．一阶电路的响应„„„„„„„„„„„„„„„„„„10 5．功率因数的提高„„„„„„„„„„„„„„„„„„15 6．三相电路中电压电流的关系„„„„„„„„„„„„„18 7．单管电压放大器„„„„„„„„„„„„„„„„„„21 8．基本运算电路„„„„„„„„„„„„„„„„„„„25 9．文氏电桥振荡器„„„„„„„„„„„„„„„„„„28

1．叠加定理的验证„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„1 2．戴维南定理的验证„„„„„„„„„„„„„„„„„„„3 3．常用电子电子仪器的使用„„„„„„„„„„„„„„„„7 4．一阶电路的响应„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„11 5．功率因数的提高„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„16 6．三相电路中电压电流的关系„„„„„„„„„„„„„„„19 7．单管电压放大器„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„22 8．基本运算电路„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„26 9．组合逻辑电路„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„29 10．时序逻辑电路„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„34

1．叠加定理的验证„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„1 2．常用电子电子仪器的使用„„„„„„„„„„„„„„„„3 3．功率因数的提高„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„8 4．三相电路中电压电流的关系„„„„„„„„„„„„„„„11 5．单管电压放大器„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„14 6．基本运算电路„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„17

重点：讨论影响放大电路频率响应的因素、研究频率响应的必要性、求解单管放大电路下限频率、上限频率和波特图的方法、多级放大电路的频率参数与各级放大电路频率参数的关系。难点：如何理解在分析下限频率时结电容相当于开路,而分析上限频率时将耦合电容和旁路电容相当于短路；为什么截止频率决定于电容所在回路的时间常数；如何求解电容所在回路的等效电阻；如何根据波特图写出放大倍数的表达式和根据放大倍数的表达式画出波特图等等

纳米电子学以 一、微电子技术今后发展将受到的限制 二、量子电子器件 纳米电子器件的发展 三、单电子晶体管,单电子存储器,逻辑电路 四、分子电子学和分子电器件 五、原子电器件 六、纳米电器件的集成和量子计算机 七、微电子技术过去30年的发展

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

6.1 域名系统 DNS 6.1.1 域名系统概述 6.1.2 因特网的域名结构 6.1.3 域名服务器 6.2 文件传送协议 6.2.1 FTP 概述 6.2.2 FTP 的基本工作原理 6.2.3 简单文件传送协议 TFTP 6.3 远程终端协议 TELNET 6.4 万维网 WWW 6.4.1 概述 6.4.2 统一资源定位符 URL 6.4.3 超文本传送协议 HTTP 6.4.4 万维网的文档 6.4.5 万维网的信息检索系统 6.5 电子邮件 6.5.1 电子邮件概述 6.5.2 简单邮件传送协议 SMTP 6.5.3 电子邮件的信息格式 6.5.4 邮件读取协议 POP3 和 IMAP 6.5.5 基于万维网的电子邮件 6.5.6 通用因特网邮件扩充 MIME 6.6 动态主机配置协议 DHCP 6.7 简单网络管理协议 SNMP 6.7.1 网络管理的基本概念 6.7.2 管理信息结构 SMI 6.7.3 管理信息库 MIB 6.7.4 SNMP 的协议数据单元和报文 6.8 应用进程跨越网络的通信 6.8.1 系统调用和应用编程接口 6.8.2 几种常用的系统调用