点击切换搜索课件文库搜索结果(5160)
文档格式:PDF 文档大小:2.43MB 文档页数:15
2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV
文档格式:PDF 文档大小:2.27MB 文档页数:12
10.1.1变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题10.1.1所示,副边电源电压为v2=sin (ot,假定忽略管子的正向压降和变压器内阻
文档格式:PDF 文档大小:2.58MB 文档页数:132
第一章 前言 参考文献 第二章 电感电容压控振荡器 第三章 硅基片上螺旋电感 第四章 可变电容特性分析 第五章 相位噪声分析 第六章 压控振荡器的优化 第七章 相位噪声降低技术 第八章 设计实例 第九章 总结和展望
文档格式:PDF 文档大小:3.12MB 文档页数:129
第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论
文档格式:PDF 文档大小:3.33MB 文档页数:19
9.2.1电路如图题9.2.1所示,试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡,哪个不能,并简述理由
文档格式:PDF 文档大小:7.04MB 文档页数:45
8.1.1同相输入加法电路如图题8.1.1所示求输出电压vo;当R1=R2=R3=R时
文档格式:PDF 文档大小:122.95KB 文档页数:8
Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET
文档格式:PDF 文档大小:39.02KB 文档页数:4
Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com
文档格式:PDF 文档大小:57.77KB 文档页数:6
The IPMTS.OAT1/T3 Series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients http:/lonsemi.com Excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. The advanced packaging technique provides for a highly efficient micro miniature, space PLASTIC SURFACE MOUNT saving surface mount with its unique heat sink design. The
文档格式:PPT 文档大小:82.5KB 文档页数:33
一、故障 1、油箱内部故障:绕组相间短路、单相匝间短路、单相接地短路等。 2、油箱外部故障:绝缘套管及引出线上的多相短路、单相接地短路等
首页上页467468469470471472473474下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 5160 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有