6.1 抽样定理——sampling theorem 6.2 脉冲模拟调制 6.3 脉冲编码调制(PCM, pulse-code modulation) 6.4 差分脉冲编码调制 6.5 增量调制 (Delta modulation, ΔM, DM) 6.6 时分复用 (TDM,time division multiplexing)

引言 时域数学模型 线性系统的传递函数 结构图及等效变换 信号流图及梅逊公式 闭环传递函数 建模的MATLAB方法 模型的实验测定法

频率特性 典型环节的频率特性 系统的开环频率特性 频域稳定性判据 稳定裕度 频率特性分析

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

控制系统校正的基本概念 常用校正装置及其特性 串联校正的频域法设计 反馈校正与复合校正 PID控制器的参数整定

§5.1 概述 §5.2 热传导 §5.3 对流传热 §5.4 换热器的传热计算 §5.5 辐射传热 §5.6 换热器 §5.6.1 换热器的结构形式 §5.6.2 传热过程的强化 §5.6.3 换热器的设计与选型

§6.1 概述 §6.2 单效蒸发器的计算 §6.3 多效蒸发 §6.4 提高生蒸汽热能利用程度的措施 §6.5 蒸发设备 §6.6 提高传热系数的方法

5.1 频率特性 5.2 典型环节的频率特性 5.3 控制系统的开环频率特性 5.4 稳定判据及稳定裕度 5.5 闭环频域性能指标 5.6 系统开环频率特性三频段的概念

本文详细讨论了利用吴氏赤平投影网制作极点等值线图的原理,并给出了相应的电算程序。用一个具体实例将所得结果与用施密特作图法得到的结果进行了比较。此例说明:经改正的吴氏网作图法更精确、但占用计算时间更多、而用两种方法得到的等值线图是相互接近的

11.0 概述 11.1 湿空气的性质及湿度图 11.2 干燥过程的物料衡算与热量衡算 11.3 干燥速率与干燥时间 11.4 真空冷冻干燥（自学） 11.5 干燥器