一、电容器的电能 二、静电场的能量 能量密度

对过共晶高铬铸铁近液相线溶化后的凝固过程进行脉冲电流处理，研究了脉冲电流参数（脉冲电压和频率）对凝固组织的影响.发现脉冲频率和电压的增大都有助于过共晶高铬铸铁凝固组织中碳化物的细化和粒化.脉冲频率的增大促进大量细小颗粒状初生碳化物的析出，离异共晶现象变得更加明显，层片状共晶碳化物减少.脉冲电压的增加促进初生碳化物细化和粒化，片状共晶碳化物变短.过高的电压也促进离异共晶，导致更多的初生碳化物的形成

一、小功率整流滤波电路 二、单相桥式整流电路 (1)工作原理

通过化学气相沉积法制备三维(3D)泡沫石墨烯(GF),然后利用水热合成法在泡沫石墨烯表面生长氧化锌纳米线阵列(ZnO NWAs),再利用化学气相沉积法在其表面沉积碳(C),得到碳/氧化锌纳米线阵列/泡沫石墨烯(C/ZnO NWAs/GF)复合材料.用该复合材料做电极,采用电化学方法检测叶酸(FA).结果表明,三维泡沫石墨烯具有和模板泡沫镍一样的三维孔状结构,ZnO NWAs均匀且垂直地生长在泡沫石墨烯表面,碳沉积在ZnO NWAs表面.在线性范围为0~60 μmol·L-1内,C/ZnO NWAs/GF电极检测FA时,灵敏度为0.13 μA·μmol-1·L,且在尿酸(UA)干扰下检测FA具有良好的选择性.C/ZnONWAs/GF电极有良好的稳定性和重复性

第2章电脑组件选购指南 2、1电脑的基础组件 2、2电脑组件的性能指标 2.2.01主板 2.2.08光驱 2.2.02中央处理器CPU2.2.09声卡 2.2.03内存

VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example:

(1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处的电场强度的方向都与导体表面垂直导体表面是等势面

DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device

①栅源电压对1的控制作用 ②漏源电压对i的影响

半导体二极管及基本电路 一、半导体的基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、二极管基本电路分析 五、特殊二极管