以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合

Oxide Oxide Metallization Contact processing techniques that are similar to those of today's VLSI circuits, although the device geometry, voltage and current ntSource

基于ANSYS软件建立了310 mm×360 mm断面大方坯连铸过程二维凝固传热数学模型,并采用窄面射钉试验及铸坯表面测温试验对模型的准确性进行了验证.通过模型研究了过热度、拉速和二冷比水量对铸坯中心固相率以及凝固坯壳分布的影响,并结合高碳耐磨球钢BU的高温拉伸试验结果,确定了最佳的拉速以及最优轻压下压下区间要求.通过工业试验对理论模型进行了验证,并分析研究了拉速对采用凝固末端电磁搅拌(F-EMS)以及凝固末端17 mm大压下量的轻压下技术生产310 mm×360 mm断面大方坯高碳耐磨球钢BU铸坯的偏析和中心缩孔的影响.结果表明:采用凝固末端电磁搅拌和轻压下复合技术,通过调整拉速优先满足轻压下压下区间要求,可显著降低中心偏析、V型偏析及中心缩孔,但如果仅达到凝固末端电磁搅拌位置要求时,则铸坯中心质量不会得到明显改善.拉速为0.52 m·min-1且轻压下压下区间铸坯中心固相率为0.30~0.75时,偏析和中心缩孔有很大程度的改善,不合理的压下量分配会引起铸坯出现内裂纹以及中心负偏析

采用密度泛函理论计算了一系列黄药捕收剂的几何构型和电子结构，利用最高占据分子轨道能量、自然布局分析电荷、电负性和绝对硬度等参数判断黄药捕收剂的浮选性能.研究结果表明：黄药阴离子是浮选溶液中的活性成分，键合原子为C—S单键中的S原子.最高占据分子轨道能量可较好地解释直链黄药（C1-C6）的浮选性能随碳链增长而增强的现象.在黄药同分异构体中，与极性基相连的碳原子上支链越多，烷基给电子诱导效应越强，该异构体的捕收活性越强.黄药同分异构体（C3-C5）的捕收活性顺序为：叔烃基黄药〉仲烃基黄药〉异烃基黄药

根据有关的热力学数据和Criss、Cobble提出的熵对应原理计算了Sb—H2O体系在100、150、200℃下的电位—pH图。计算结果表明,随温度升高Sb的稳定性区域稍有缩小,特别是在高pH值的部份有同较低电位和较小PH值方向移动的趋势,在SbO2-,SbO3-区域扩大的同时Sb2O3,Sb2O5的稳定区域亦缩小。这是由于随温度上升,这些离子稳定性增加的缘故。最后,依照电位—pH图对钢铁表面上Sb涂层的腐蚀与保护条件进行了初步探讨

1.导体:能导电的物体 第一类导体:电子导体靠电子的定向运动导电,如金属,石墨等; 第二类导体:离子导体靠离子的定向运动导电,如电解质溶液,熔化的电解质等。分为强电解质和弱电解质。随着温度升高,电子导体的导电能力减弱;离子导体的导电能力增强

一、多电子原子的能级 二、核外电子排布的规律 三、原子的电子结构与元素周期表 一、原子半径 二、电离能和电子亲和能 三、电负性

对45 t电炉终点碳控制技术进行研究，优化了冶炼工艺及用氧制度，改进了泡沫渣工艺.电炉氧化末期钢水碳的合格率得到较大提高，减少了脱氧材料加入量，在一定程度上降低了LF座包钢水中的氧含量.通过优化泡沫渣工艺，电炉炉盖结冷钢现象已基本杜绝，炉子水冷件漏水现象大幅度减少，缩短了热停时间

利用硬度计在光滑沙漏状车轴钢疲劳试样上制造压痕,同时利用电火花在试样上加工缺陷,通过疲劳试验研究两种缺陷尺寸与试样疲劳极限之间的关系.将两类试样的测试结果和基于材料硬度、缺陷投影面积的Murakami模型计算结果进行对比.利用扫描电镜观察试样疲劳断口.结果表明,与计算结果相比较,压痕局部塑性变形导致的加工硬化和残余应力对试样的疲劳强度没有影响,裂纹依然从应力集中最大的压痕底部起裂.电火花缺陷表面粗糙度较大引起二次缺口效应,表面硬脆的重铸白层上还有微孔和微裂纹存在,导致此类试样疲劳强度低于模型计算结果,裂纹从电火花缺口底部多处萌生

二 . 载流导线所受磁场力 一 . 运动电荷所受磁场力 三 . 载流线圈所受磁力矩 四 . 磁力的功