一、半导体三极管 二、放大电路的图解分析法 三、放大电路的小信号模型分析法 四、放大电路工作点稳定 五、共集电极和共基极电路 六、放大电路的频率响应 七、放大电路的瞬态响应

第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

一、半导体基本知识 二、PN结及其特性 三、半导体二极管特性及其应用 四、稳压二极管

§1 双极型晶体管（BJT） § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号

重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

3.1通信方式的创新 3.1.1信息时代对通信提出的要求 1、“信息基础结构计划(NII)”—信息高速公路(INTERNET):集通信网络、计算机、数据库以及日用电子产品为一体的电子信息网络。它能使每个人随时随地地将文本、声音、图像、电视信息传递给任何人

§2 .1 放大电路的性能指标 §2.2 单级晶体管共射放大电路 §2.3 放大电路的分析方法

9-1电路的频率特性与网络函数 9-2RC电路的频率特性 9-3RLC串联谐振电路 9-4GCL并联谐振电路 9-5电源电阻及负载对谐振电路的影响

一、基础架构 二、互联网 三、包交换网 四、互联网协议 五、标注语言和WWW 六、内部网和外部网 七、互联网各种接入方案 八、第二代互联网和语义网