6.1中断系统概述 6.1.1中断的概念 所谓中断,就是打断正在进行的工作,转而去处理另外一种较紧急的事情,处理完毕后再转回来继续原来的工作

存贮器的主要功能是存放程序和数据,程序是单片机 操作的依据,数据是单片机操作的对象。 单片机向存贮单元存放信息称为“写,取出信息称 为“读”,“读”、“写”操作都称为访问存贮器。单片 机访问存贮器是根据存贮单元的地址进行的。根据地址访 问存贮单元又称寻址

首先证明张量展开的一般公式,其次将张量展开的一般公式应用到Stark效应中。计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元,并计算出原子在外电场中能级位移量,计算结果与曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致

合成氨目录 第一节:绪论 第二节:固体燃料气化 第三节:烃类蒸汽转化 第四节:一氧化碳变换 第五节:原料气净化脱硫 第六节:二氧化碳脱除 第七节:原料气的最终净化 第八节:氨的合成

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

采用SEM、EDS等手段研究了闪速燃烧合成的氮化硅铁及其原料FeSi75的组成、结构,并结合闪速燃烧合成工艺和热力学分析,揭示氮化硅铁中FexSi粒子的形成机理.结果表明:在以74μm的FeSi75氮化制备氮化硅铁过程中,金属硅和ξ(FeSi2.3)相中部分硅氮化为氮化硅,而氮化硅铁中FexSi粒子则来源于ξ相的氮化;当ξ相被氮化到其中的[Si]摩尔分数降低近25%时,[Si]的活度aSi趋于0,氮化趋于平衡,ξ相中不能被继续氮化的部分即为FexSi粒子,其Fe:Si原子比例大约为3:1;FexSi粒子的大小、均匀分布状况与ξ相颗粒粒径大小及分布状况有关

5.1数字基带信号 5.2数字基带传输系统 5.3无码间串扰的基带传输系统 5.4眼图 5.5时域均衡原理 5.6部分响应技术

以铝硅合金和球墨铸铁为研究对象,分别采用正常热处理、室温及高温下施加脉冲电流处理的方法,研究了脉冲电流对固态金属中非金属相形态的影响.结果表明:在脉冲电流处理下,铝硅合金中粗杆状共晶硅的粒化速度加快;球墨铸铁经脉冲电流处理后,原有石墨的直径没有明显增大,石墨的平均似圆度略有增加,组织中出现了新生的球状小石墨;在脉冲电流作用下非金属相周围位错的行为及原子的扩散是决定非金属相形态的主要原因

6.1二进制数字调制与解调原理 6.2二进制数字调制系统的抗噪声性能 6.3二进制数字调制系统的性能比较 6.4多进制数字调制系统

11.1概述 11.2载波同步 11.3位同步 11.4群同步