作业要求:分别对各放大电路进行(1)静态分析:(2)画微变等效图;(3)动态分析

广东海洋大学：《数字电子技术》课程教学资源（PPT课件）3.2.3 三态输出和漏极开路输出的CMOS门电路 3.2.4 CMOS电路的静电防护和锁定效应 3.2.5 CMOS电路的电气特性和参数 3.3.1 双极型二极管的开关特性和二极管门电路 3.3.2 双极型的三极管的开关特性

9.1 镜像电路 9.2 准nMOS电路 9.3 三态电路 9.4 时钟控制CMOS 9.5 动态CMOS逻辑电路 9.6 双轨逻辑电路

9.1非正弦周期信号 9.2 谐波分析和频谱 9.3 非正弦周期信号的有效值、平均值和平均功率 9.4 非正弦周期信号作用下的线性电路分析

第一章 前言 参考文献 第二章 电感电容压控振荡器 第三章 硅基片上螺旋电感 第四章 可变电容特性分析 第五章 相位噪声分析 第六章 压控振荡器的优化 第七章 相位噪声降低技术 第八章 设计实例 第九章 总结和展望

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

为Φ11，穿过自身产生的磁通链Ψ11-----称自感磁通链。 Φ11穿过2产生的磁链Ψ21----称互感磁通链。同理：Φ22 也产生自感磁通链Ψ22和互感链Ψ12彼此耦合 耦合线圈中总的磁通是自感磁通链和互感磁通链的代数和：

§1.1 微波晶体管种类与特性 §1.2 BJT硅双极型微波晶体管 §1.3 微波场效应晶体管 §1.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT, SiGe HBT §1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.6 放大器噪声参数 §1.7 微波晶体管放大器设计 §1.8 微波功率放大器

1、掌握电化学的基本感念和法拉第电解定律，了解迁移数的意义及常用的测定迁移数的方法。 2、明确电导率、摩尔电导率的意义及它们与溶液浓度的关系。 3、熟悉离子独立运动定律及电导测定的一些应用。 4、明确离子活度、平均活度和平均活度系数的概念。 5、了解强电解质溶液理论〈主要是德拜一休克尔离子互吸理论}

7—1、根据图 7-1-7 画出 i1、i2、i3分别达到最大值时刻的旋转磁场。 提示：根据图 7-1-7 画出。7—2、有一台四极三相异步电动 机，电源频率为 50Hz，带负载运行时的转差率为 0.03,求同步转速和 实际转速