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清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)解题(童诗白、华成英)
文档格式:PDF 文档大小:3.67MB 文档页数:203
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 ( 1) 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。( )
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,第三版)PDF电子书(共十一章,童诗白、华成英)
文档格式:PDF 文档大小:14.95MB 文档页数:642
为什么采用半导体材料制作电子器件? 空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时 会产生什么现象?
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)第四章 集成运算放大电路自测题(童诗白、华成英)
文档格式:DOC 文档大小:44KB 文档页数:3
一、(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A 二、(1)× (2)√ (3)√ (4)√ (5)×
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)第六章 放大电路中的反馈自测题(童诗白、华成英)
文档格式:DOC 文档大小:134.5KB 文档页数:6
一、(1)× (2)√ (3)× (4)√ 二、(1)B (2)C (3)A (4)D 三、(a)电流串联负反馈
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)第九章 功率放大电路自测题(童诗白、华成英)
文档格式:DOC 文档大小:68.5KB 文档页数:4
一、(1)A (2)B (3)C (4)B D E (5)C 二、(1)消除交越失真
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)第三章 多级放大电路自测题(童诗白、华成英)
文档格式:DOC 文档大小:67KB 文档页数:5
一、(1)× (2)√√ (3)√× (4)× (5)√ 二、(1)A A (2)D A (3)B A (4)D B (5)C B 三、(1)B D (2)C (3)A
软件学院:《模拟电子技术基础》第8章 习题解答
文档格式:PPT 文档大小:1.11MB 文档页数:16
8-2 在图8-62所示的电路中,设集成运放的最大输出电压为±12V, R1=10KΩ,RF=90KΩ,R’=R1 //RF,Ui=0.5V,求正确情况下的UO。如果 Ui=1.5V,UO又是多大?如果R1因虚焊而断开,电路处于什么工作状 态?UO是多大?如果RF断开,情况又如何?
软件学院:《模拟电子技术基础》第10章 习题解答
文档格式:PPT 文档大小:246.5KB 文档页数:6
10-5 已知U2=20 UO(AV)=0.9U2=0.9×20=18V IO(AV)= UO(AV)/ RL=18/1=18mA ID(AV)= IO(AV)/2=18/2=9mA URM = 2U2 = 1.41 20 = 28.2V
软件学院:《模拟电子技术基础》第3章 习题解答
文档格式:PPT 文档大小:533.5KB 文档页数:20
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在 什么区
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)第4讲 晶体三极管
文档格式:PPT 文档大小:613KB 文档页数:11
第四讲晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
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