1.在银电极上,C,Br和均可进行下述反应。 ag+=10-6mol/leaa.790.09log10-0.445V E AgCL,Ag=.222 V, E AgBr,Ag=0.071V, E Aglr,Ag-0.152V) Ag(s)+X= AgX(s)+e\ 试问:(1)若Br和的起始浓度都是0.05mol/l,可否用恒电位电解法分离r和?

一、选 择合适答 案填入空 内 。 （ 1） 集 成运放电 路采用直 接耦合方 式是因为 。 A．可获 得很大的 放大倍数 B. 可 使温漂小 C． 集 成 工艺难于 制造大容 量电容

《电力电子装置设计与应用》逆变电路输出电压

《电力电子装置设计与应用》典型输出电路的传输特性

在镍盐溶液中利用脉冲放电技术制备出Ni-P合金粉体,并用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)及差热分析(DTA)等手段研究非晶粉体的晶化行为和组织结构特征.结果表明:Ni-P合金粉体形貌为链枝状,径向可达500nm左右,长度可达数微米.制备的合金粉体为非晶态结构,在280℃以下热处理时没有改变非晶态结构:在300℃开始晶化,析出亚稳相Ni5P2和Ni12P5;在320℃开始析出稳定相Ni和Ni3P;温度升高到400℃时,亚稳相消失.采用Kissinger公式计算出该合金粉体的晶化激活能为291.76kJ·mol-1

第五章双口网络 1.双口网络的定义和分类 2.双口网络的方程和参数 3.线性无源双口网络的等效电路 4.无源双口网络的联接 5.含受控源的双口网络 (运算放大器,回转器,负阻变换器)

3.6 算数运算电路 3.8 奇偶校验电路

3.1组合逻辑电路特点及表示方法 3.2 SSI组合电路的分析与设计 3.3常用组合逻辑电路 3.4译码器 3.5 数据分配器和数据选择器 3.6 数值比较电路

采用脉冲放电技术合成Ni-P合金粉体,研究了合金粉体的结构及其对高氯酸铵热分解的影响.结果表明,非晶态Ni-P合金粉体是由微粒组成的团聚结构.脉冲放电电压700、900和1100V对应的弦粒子数依次增大,粉体粒径依次减小,分别为350～500、250～400和150～300nm.Ni-P合金粉体促进高氯酸铵的低温和高温热分解,与纯高氯酸铵相比,高氯酸铵和Ni-P粉体混合物的第1放热峰(低温分解峰)温度降低幅度小于12℃,第2放热峰(高温分解峰)温度降低约53℃;合金粉体粒径减小,第1放热峰强度增强,第2放热峰强度减弱,低温分解失重从高氯酸铵的15.97%增加到42.78%,高温分解失重从81.62%降低到47.58%,高温分解结束时温度的降低幅度为26～43℃

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路