构建管流式冲刷腐蚀实验装置研究γ预辐照对铍在一号电火花加工油（EDM-1）中腐蚀性能的影响，研究铍试样质量变化，进行表面形貌及成分分析.结果表明，铍在EDM-1管流冲刷条件下受冲刷腐蚀和化学腐蚀的共同作用，前者主要受试样表面形态影响，后者主要受γ预辐照剂量、杂质元素、EDM-1中含硫有机物等的影响.辐照前后，试样质量均呈现先减小、后增大、再减小趋势，腐蚀速率基本随辐照剂量的升高而增大.γ预辐照促进了铍试样在EDM-1中点蚀核和蚀孔的产生，腐蚀2880 h后，未接受预辐照试样仅产生较为明显点蚀核，而接受200和100 kGy预辐照试样中的部分点蚀核发展成为蚀孔，前者直径约为后者2倍.点蚀核和蚀孔区域出现Al、Si、Fe、Cr、Ti等杂质元素及S元素，杂质元素为诱导产生点蚀的重要因素，含S有机物发生化学反应分别生成物理吸附和化学吸附于蚀孔内部的SO2和SOx，促进蚀孔的形成及扩展

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出

对于典型的离子晶体,用U=qq-ld可以粗略估计晶格 能的相对大小,且U1→m.p↑;U→m.p↓ ，但对于: NaCl MgCl22ACl3il4r,q.相同;q+1r+↓→U个 ·实际mp.(℃)808714192(加p)-68 只能说明,从左→右,晶体类型已偏离典型的离子晶体。前面关于化学键的相对性亦可知,典型的离子晶体不多

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

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8.1热学的研究对象和研究方法 8.2平衡态理想气体状态方程 8.3功热量内能热力学第一定律 8.4准静态过程中功和热量的计算 8.5理想气体的内能和Cv、Cp 8.6热力学第一定律对理想气体在典型准静态过程中的应用 8.7绝热过程 8.8循环过程 8.9热力学第二定律 8.10可逆过程和不可逆过程 8.11卡诺循环卡诺定理

1.非线性方程实根的对分法(二分法) 设f(x)在{a,b]上连续且[an,b]有且仅有一个根又 f(a)·f(b)0

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