SEMICONDUCTOR Fast Switching Thyristor Replaces July 2001 version, DS4267-40 DS4267-41July2002 FEATURES KEY PARAMETERS Low Switching Losses At High Frequency

1.1 超宽带电磁学的研究对象 1.2 超宽带电磁学技术发展概述 1.2.1 由宽带向窄带发展的无线电技术 1.2.2 宽带通信技术的孕育与发展 1.2.3 UWB系统的应用和未来方向

VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example:

DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device

第九章 载流子的散射 第十章 半导休中的热现象 第十一章 复杂能带中的输运现象 第十二章 强电场下的热电子 第十三章 光的吸收和反射 第十四 章磁光现象、量子磁揄运、磁共振 第十五章 半导体中的发光现象 第十六章 非晶态半导体

第一章 晶格结构和结合性质 第二章 半导体中的电子状态 第三章 电子和空穴的平衡统计分布 第四章 输运现象 第五章 过剩载流子 第六章 pn结 第七章 半导体表面层和MIS结构 第八章 金属半导体接触和异质结

8.3.1 机理 8.3.2 聚苯乙烯薄膜湿敏元件 8.3.3 醋酸纤维有机膜湿敏元件

8.2.1 聚苯乙烯磺酸锂湿敏元件 8.2.2 聚苯乙烯磺酸铵湿敏元件 8.2.3 有机季铵盐高分子电解质湿敏元件 8.2.4 胀缩性有机物湿敏元件

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管