4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。优点:输入电阻大(107Ω~1012Ω)、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强等

• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在。 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道

4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

4场效应管放大电路 4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vs=4V时的转移特性

3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在 什么区

第2章基本放大电路和多级放大电路 2.1基本共极放大电路 2.2基本放大电的分析方法 2.3工作点定电 2.4共集和共基放大电路 2.5场效应管放大电 2.6多级放大电及复合管 2.7放大电路的频率响应 2.8放大电路中的噪责与干扰 2.9实应用电举

4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vms=4V时的转移特性

①栅源电压对1的控制作用 ②漏源电压对i的影响