附B元器件清单 序号名称 型号及规格单数量封装形式 变压器 副边双12V只 接成电压为24V 12334 整流桥 lA、100V QAO制作封装

3.3.1 电容式传感器的工作原理 3.3.2 电容式传感器主要性能 3.3.3 电容式传感器的特点和设计要点 3.3.4 电容式传感器等效电路 3.3.5 电容式传感器测量电路 3.3.6 电容式传感器的应用 3.3.7 容栅式传感器

第一节 电阻应变式传感器 第二节 热电阻式传感器 第三节 其他电阻式传感器

8.1 间接交流变流电路 8.1.1 间接交流变流电路原理 8.1.2 交直交变频器 8.1.3 恒压恒频(CVCF)电源 8.2 间接直流变流电路 8.2.1 正激电路 8.2.2 反激电路 8.2.3 半桥电路 8.2.4 全桥电路 8.2.5 推挽电路 8.2.6 全波整流和全桥整流 8.2.7 开关电源

4.1交流调压电路 4.2其他交流电力控制电路 4.3交交变频电路 4.4矩阵式变频电路

1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8 电力电子器件的串联和并联使用

外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。 如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象， 如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象

在MOS电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半 导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动， 进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。 图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到，则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能

6.1 总 线 6.2 80C51的时序 6.3 扩展并行的I/O端口 6.4 80C51与D/A转换器的接口 6.7 省电 方式 6.6 80C51的复位 6.5 A/D转换电路与80C51的接口

10.1 引言 10.2 电源系统干扰 10.3 总线的抗干扰设计 10.4 接口电路抗干扰设计 10.5 软件的抗干扰设计