采用密度泛函理论计算了一系列黄药捕收剂的几何构型和电子结构，利用最高占据分子轨道能量、自然布局分析电荷、电负性和绝对硬度等参数判断黄药捕收剂的浮选性能.研究结果表明：黄药阴离子是浮选溶液中的活性成分，键合原子为C—S单键中的S原子.最高占据分子轨道能量可较好地解释直链黄药（C1-C6）的浮选性能随碳链增长而增强的现象.在黄药同分异构体中，与极性基相连的碳原子上支链越多，烷基给电子诱导效应越强，该异构体的捕收活性越强.黄药同分异构体（C3-C5）的捕收活性顺序为：叔烃基黄药〉仲烃基黄药〉异烃基黄药

根据有关的热力学数据和Criss、Cobble提出的熵对应原理计算了Sb—H2O体系在100、150、200℃下的电位—pH图。计算结果表明,随温度升高Sb的稳定性区域稍有缩小,特别是在高pH值的部份有同较低电位和较小PH值方向移动的趋势,在SbO2-,SbO3-区域扩大的同时Sb2O3,Sb2O5的稳定区域亦缩小。这是由于随温度上升,这些离子稳定性增加的缘故。最后,依照电位—pH图对钢铁表面上Sb涂层的腐蚀与保护条件进行了初步探讨

一、掌握电脑的日常维护 二、掌握保养方面的一些基本知识

7.1 概述 7.2 施密特触发电路 7.3 单稳态电路 7.4 多谐振荡电路 7.5 555定时器及其应用

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

9.1 镜像电路 9.2 准nMOS电路 9.3 三态电路 9.4 时钟控制CMOS 9.5 动态CMOS逻辑电路 9.6 双轨逻辑电路

6.1 MOS物理学 6.2 nFET电流-电压方程 6.3 FET的RC模型 6.4 pFET特性 6.5 小尺寸MOSFET模型

6.1 直流斩波电路(DC－DC) 6.2 自换流整流电路 6.3 逆变电路（DC－AC）

酸/碱废|事先检查电镀件基件状况,选择合适的清洗方法及电镀工 艺,防止电镀过程中各种缺陷的发生 采用机械法去除氧化膜、氧化膜(如喷砂、磨抛光)

聊城大学：《电路分析》课程教学资源（PPT课件讲稿）第五章 含运算放大器的电阻电路（2/2）