线性定常RLC电路的零状态响应 当is(=u(时,为单位阶跃响 应

第7章 波形发生电路 7.1正弦波振荡电路 7.2非正弦波信号产生电路

第六章集成电路运算放大器的线性应用 6.1一般问题 6.2基本运算电路 6.3对数和指数运算电路 6.4集成模拟乘法器 6.5有源滤波电路

三、电感反馈式振荡电路 1电路组成 2工作原理 判断电路是否满足振荡的相位平衡条件

2.1基本逻辑门电路 2.2TTL逻辑门电路 2.3CMOS逻辑门电路 2.4集成运放运算电路

在镍盐溶液中利用脉冲放电技术制备出Ni-P合金粉体,并用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)及差热分析(DTA)等手段研究非晶粉体的晶化行为和组织结构特征.结果表明:Ni-P合金粉体形貌为链枝状,径向可达500nm左右,长度可达数微米.制备的合金粉体为非晶态结构,在280℃以下热处理时没有改变非晶态结构:在300℃开始晶化,析出亚稳相Ni5P2和Ni12P5;在320℃开始析出稳定相Ni和Ni3P;温度升高到400℃时,亚稳相消失.采用Kissinger公式计算出该合金粉体的晶化激活能为291.76kJ·mol-1

第5章反馈 5.1负反馈放大电路的组成和基本类型 5.2负反馈对放大电路性能的影响 5.3负反馈对放大电路应用中的几个问题

7.1 有源滤波器 7.2 模拟乘法器 7.3 锁相环电路

2.1放大的概念和放大电路的主要性能指标 2.1.1放大的概念 以扩音机为例

采用脉冲放电技术合成Ni-P合金粉体,研究了合金粉体的结构及其对高氯酸铵热分解的影响.结果表明,非晶态Ni-P合金粉体是由微粒组成的团聚结构.脉冲放电电压700、900和1100V对应的弦粒子数依次增大,粉体粒径依次减小,分别为350～500、250～400和150～300nm.Ni-P合金粉体促进高氯酸铵的低温和高温热分解,与纯高氯酸铵相比,高氯酸铵和Ni-P粉体混合物的第1放热峰(低温分解峰)温度降低幅度小于12℃,第2放热峰(高温分解峰)温度降低约53℃;合金粉体粒径减小,第1放热峰强度增强,第2放热峰强度减弱,低温分解失重从高氯酸铵的15.97%增加到42.78%,高温分解失重从81.62%降低到47.58%,高温分解结束时温度的降低幅度为26～43℃