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1.网孔法(平面网络)b-n+1个变量人为地假设存在网孔电流,列写每一个网孔的KVL方程方程左边
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3.1 负反馈的概念 3.2 负反馈的类型及分析方法 3.3 负反馈对放大电路的影响
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以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相
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P70. 13.1一带电量为q,半径为rA的金属球A,与一原先不带电、内外半径分别为rB 和rC的金属球壳B同心放置,如图所示,则图中P点的电场强度如何?若用导线将A和 B连接起来,则A球的电势为多少?
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5.1放大电路的频率特性 引言 5.1.1简单RC低通和高通电路的频率特性 5.1.2晶体管以及其单级放大电路的频率特性 5.1.3集成运算放大器高频参数及其影响
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1. 掌握脉冲波形基本参数及参数间的关系; 2.了解TTL与非门原理,主要特性参数; 3.掌握555定时器原理、功能及应用; 4.掌握单稳态触发器的功能、分析方法及典型电路(由555、运放等组成的);
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10.1传统的支付方式 10.2电子支付 10.3国际上通行的两种电子支付安全协议 10.4网上银行 10.5电子支付中存在的问题
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3.4小信号模型分析法 3.4.1BJT的小信号建模 1.H参数的引出 2.H参数小信号模型 3.模型的简化 4.H参数的确定 3.4.2共射极放大电路的小信号模型分析
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用Mo基合金粉末(含Si,B,Cr,W,Mo,Ni等)作为喷涂材料,利用大气等离子喷涂(APS)技术,在0Cr13Ni5Mo不锈钢基体上制备了钼基非晶纳米晶复合涂层.利用XRD观察了涂层的晶型结构,扫描电镜(SEM)观察涂层的组织形貌,恒电位扫描仪对涂层的电化学特性进行了测试,显微硬度仪测量涂层的显微硬度.实验结果表明,利用等离子喷涂工艺可以制备高硬度的Mo基非晶纳米晶复合涂层,这种涂层结构均匀致密,其显微硬度最高达到1426.9HV.孔隙率约为5.5%.非晶纳米晶复合涂层在3.5%NaCl溶液中存在钝化现象,自腐蚀电流为6.459μA·cm-2,腐蚀速度0.869mm·a-1
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