6.1 均匀平面波对分界面的垂直入射 6.2 均匀平面波对多层介质分界平面的垂直入射 6.3 均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射 6.4 均匀平面波对理想导体表面的斜入射

在例行分析中，一般对单个试样平行测定 两次，若不超过允许误差，则求平均值， 否则重做。 对要求非常准确的实验，需增加测定次数， 并对数据进行分析处理后，计算结果

1. 恒星光谱分类 2. 星系星族分析 3. 星系自转速度 4. 星际消光 5. 活动星系分类 6. 恒星形成率 7. 测量气体电子密度 8. 测量气体电子温度 9. 测量星系金属丰度

3.1.1 应力张量及其分解 3.1.2 主应力及应力不变量 3.1.3 斜面上的应力和八面体上的应力 3.1.4 等效应力 3.1.5 三向Mohr 圆和Lode 应力参数 3.1.6 应力空间和主应力空间

第六章配位滴定法 第一节概述 一、配位滴定法:又称络合滴定法 以生成配位化合物为基础的滴定分析方法 二、滴定条件: 定量、完全、迅速、且有指示终点的方法 三、配位剂种类: 无机配位剂:形成分级络合物,简单、不稳定 有机配位剂:形成低络合比的螯合物,复杂而稳定 四、常用有机氨羧配位剂——乙二胺四乙酸

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

配位滴定：以配位反应为基础的滴定分析方法 (complexometric titration)。 配合物根据配体类型的不同，可分为无机配合物 和有机配合物。无机配合物不够稳定，且存在逐级 配位现象，不适宜滴定

沉淀滴定：是以沉淀反应为基础的滴定分析法。 沉淀反应应满足下述条件： (1)沉淀溶解度须小且组成恒定； (2)反应速率要快； (3)沉淀的吸附不妨碍化学计量点的确定； (4)有适当的方法确定计量点

概率论中的一些基本概念 简单几率的计算 平均值，平均偏差，散差 二项式分布及其偏差 广延量的平均值 高斯分布 泊松分布

概率论中的一些基本概念 简单几率的计算 平均值，平均偏差，散差 二项式分布及其偏差 广延量的平均值 高斯分布 泊松分布