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1.1 单片机及其发展应用 1.2 80C51单片机的内部结构 1.3 80C51单片机的存储器结构 1.4 80C51单片机的并行I/O接口 1.5 时钟与时序 1.6 复位电路
文档格式:PPTX 文档大小:2.28MB 文档页数:117
2.1 芯片内部结构及特点 2.2 C54x的内部多总线结构 2.3 C54x的中央处理单元(CPU) 2.4 C54x的存储器结构 2.5 复位操作及省电方式 2.6 中断系统 2.7 流水线 2.8 引脚及其功能
文档格式:DOC 文档大小:23KB 文档页数:1
一、选择填空题(10 分) 1—C 2—B 3—B 4—C 5—C 6—B 7—B 8—A 9—D 10—C
文档格式:PPTX 文档大小:5.57MB 文档页数:223
9.1 基于C54x的DSP最小系统设计 9.2 C54x外部总线结构 9.3 存储器扩展 9.4 A/D、D/A与DSP的接口技术 9.5 Bootloader功能的实现 9.6 C54x系统设计实例 9.7 DSP系统的调试与抗干扰措施
文档格式:PPTX 文档大小:2.19MB 文档页数:116
2.1 芯片内部结构及特点 2.2 C54x的内部多总线结构 2.3 C54x的中央处理单元(CPU) 2.4 C54x的存储器结构 2.5 复位操作及省电方式 2.6 中断系统 2.7 流水线 2.8 引脚及其功能
文档格式:PDF 文档大小:1.51MB 文档页数:11
为了研究煤自燃发火气体产物与煤分子官能团之间的内在联系,进一步揭示煤自燃发火过程的微观变化特性,利用程序升温实验装置和原位红外光谱分析实验系统,得出了气体产物生成量和活性官能团含量之间的关联性。结果表明:CO、C2H4等指标气体浓度伴随温度升高显示为抛物线模式增长;活性官能团中,随着温度的不断升高,脂肪烃含量先持续增大,之后开始逐渐下降,C=C双键含量不断下降,含氧官能团含量先趋于稳定后逐渐增加。根据指标气体浓度变化,获得了高温反应过程中的5个特征温度点,进一步将其分为临界温度阶段、干裂–活性–增速温度阶段、增速–燃点温度阶段和燃烧阶段4个阶段,并对三个高温氧化阶段进行关联性分析发现:在临界温度阶段,影响CO、CO2、CH4和C2H6气体释放的主要活性官能团是羰基;在干裂–活性–增速温度阶段烷基链和桥键发生大量断裂,影响气体产物的主要活性官能团是脂肪烃和羰基;在增速–燃点温度阶段气体浓度与羰基和羧基等官能团呈负相关。得出干裂–活性–增速温度阶段是高温氧化过程中的危险阶段,需在该阶段前对氧化反应进行控制,以减少人员和物质损失
文档格式:PPT 文档大小:909KB 文档页数:11
基于FeFe3C相图的Fe-C合金分类 1.工业纯铁,C%<=0.0218
文档格式:PPT 文档大小:81KB 文档页数:21
1. C语句概述 2. 赋值语句 3. 数据的输入输出 4. 字符数据的输入输出 5. 格式输入与输出 6. 顺序结构程序设计举例
文档格式:PPT 文档大小:231.5KB 文档页数:24
一、掌握C语言的基础知识 二、掌握程序设计中常用的算法 三、能够用C语言编写简单的程序 四、提高分析问题和解决问题的能力 五、为考研作准备
文档格式:PPS 文档大小:8.25MB 文档页数:368
第一章 C语言概述 第二章 程序的灵魂-算法 第三章 C语言的基本数据类型与表达式 第四章 最简单的C程序设计——顺序程序设计 第五章 分支结构程序设计 第七章 数组 第八章 函数及其应用 第九章 编译预处理 第十章 指针 第十一章 结构体、共用体、枚举 第十二章 位运算 第十三章 文件
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