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采用水热法,以氢氧化钠为分离剂,从含钛电炉熔分渣中成功制备出纳米片状结构二氧化钛光催化剂,并探讨了水热反应时间、水热温度以及碱液浓度对分离提取纳米片状结构二氧化钛的影响.随着水热反应时间的延长,水热温度以及氢氧化钠溶液浓度的提高,从含钛电炉熔分渣中分离提取的二氧化钛结晶度越好,微观形貌更趋近于纳米片状结构.水热法处理含钛电炉熔分渣的最佳反应条件是:水热温度高于180℃,水热反应时间大于24 h,碱液浓度达到12 mol·L-1.以制备得到的纳米片状结构二氧化钛为光催化剂,在氙灯光照90 min后,甲基蓝降解率可达81.1%
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一、选 择合适答 案填入空 内 。 ( 1) 集 成运放电 路采用直 接耦合方 式是因为 。 A.可获 得很大的 放大倍数 B. 可 使温漂小 C. 集 成 工艺难于 制造大容 量电容
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第三章执行组电路 3-1执行组电路的组成 选出进路后,由执行组电路完成开通进路、锁闭进路、开放信号和解锁进路的任务。由8~15线组成
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基于热动力学理论,通过对演化方程的线性稳定分析,确定了1-3型BaTiO3-CoFe2O4(BTO-CFO)多重铁性复合材料中的铁电、铁磁相变温度.考虑系统中基底与薄膜之间及薄膜内铁电相、铁磁相之间的内应力和外应力的弹性耦合,确立了顺电到铁电/铁磁地相变临界温度地解析式.临界温度与两相体积分数、基底、薄膜的晶格尺寸、薄膜两相的材料性能及薄膜厚度都有很大关系.两相的相变临界温度可以通过调节体积分数及薄膜厚度进行控制
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对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的
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1.在银电极上,C,Br和均可进行下述反应。 ag+=10-6mol/leaa.790.09log10-0.445V E AgCL,Ag=.222 V, E AgBr,Ag=0.071V, E Aglr,Ag-0.152V) Ag(s)+X= AgX(s)+e\ 试问:(1)若Br和的起始浓度都是0.05mol/l,可否用恒电位电解法分离r和?
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绪论 一、电子信息技术发展历程 在电子信息、通信、自控、微电子和计算机等领域中,经过200多年的发展历程,涌现出了无数科学发现和技术发明
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一、基本概念 1、氧化数 1970年IUPAC定义:氧化数是某元素 一个原子的荷电数,这种荷电数是把成 键电子指定给电负性较大的原子而求得
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6.1 集成电路运算放大器中的电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 集成电路运算放大器 6.4 集成电路运算放大器的主要参数 6.5 专用型集成电路运算放大器 6.6 放大电路中的噪声与干扰
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1、磁棒插入或抽出线圈时,线圈中产生感生电流; 2、通有电流的线圈替代上述磁棒,线圈中产生感生电流; 3、两个位置固定的相互靠近的线圈,当其中一个线圈上电流发生变化时,也会在另一个线圈内引起电流
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