采用H-800透射电子显微镜及正电子湮没技术,观察了CSP工艺热轧低碳带钢轧制过程中位错形貌,并计算了终轧后轧件的位错密度。结果表明:随着轧制过程的进行,累积变形量的增加,位错密度逐渐提高。CSP工艺比传统工艺生产的同规格产品位错密度高约一个数量级

5.1 放大电路的组成及工作原理 5.2 图解分析法 5.3 计算分析法 5.4 放大电路的三种接法 5.5 阻容耦合放大电路 5.6 场效应管放大电路 5.7 多级放大电路 5.8 放大器的通频带

2.1 电容元件与电感元件 2.2 动态电路的过渡过程和初始条件 2.3 一阶电路的零输入响应 2.4 一阶电路的零状态响应 2.5 一阶电路的全响应

自测题 一、(1)×(2)√(3)√×(4√(5)×(6)√ 二、(1)B(2)C(3)A(4)D 三、T1,R1、R2、R3,R、D2,T2、Rc,Ro

一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻

自测题 一、(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√ 二、(1)AA(2)DA(3)BA(4)DB(5)CB 三、(1)BD(2)C(3)A(4)AC(5)B(6)C

一、(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)× 二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能 (c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真

本章讨论的问题:1.什么是理想运放?指标参数有哪些?2为什么在运算放大电 路中集成运放必须工作在线性区?为什么理想运放工作在线性区时会有虚短和虚断? 3如何判断电路是否是运算电路?有哪些基本运算电路?怎样分析运算电路的运算关系?

本章讨论的问题:1单管放电略为什么不能满足多方面性能的要求?2如何将多 个单级放大电路连接成多级放大电路?各种连接方式有和特点?3直接糊合放大电路的 特殊问题是什么?如何解决?4差分放大电路与其它基本放大电路有什么区别?为什么 它能抑制零点漂移?5直接耦合放大电路输出级的特点是什么?如何根据要求组成多级 放大电路?

重点与难点: 1、正弦波振荡发生的两个条件。 2、文氏桥(RC串并联)正弦波发生电路 3、LC正弦波发生电路及石英晶体正弦波发生电路 4、电压比较器的电路组成与工作原理