第三章门电路 3.1概述 3.2半导体二极管门电路 3.3CMOS门电路 3.3.2CMOS反相器的电路结构和工作原理 3.3.5其他类型的CMOS门电路 3.5TTL门电路 3.5.2TTL反相器的电路结构和工作原理 3.5.5其他类型的TTL门电路

重点：基本结构，电磁关系，磁势、电压、功率平衡 难点：电磁关系，损耗，磁化特性

1.两个电子自旋的合成 设S1和S2代表两个电子的自旋,它们的总自旋是S=S1+S2,对照角动量合成的一般规则,现在 =j2=1/2,所以总自旋的大小可以取值 S=1.0. 形象地说,当两个电子的自旋互相平行的时候S=1,而当两个电子的自旋反平行的时候S=0 我们还要解决总自旋的本征态如何用各电子的态矢量来表达的问题,换句话说,也就是要计算这个 时候的CG系数

重点：电气参数测定方法 难点：漏电抗、直轴同步电抗，交轴同步电抗

重点：基本结构，铭牌与额定值，同步速，基本运行状态，电枢反应性质 难点：电枢反应

重点：正方向惯例，磁化特性（工程化），机电能量转换系统 难点：磁化特性，电感参数和损耗

重点：基本结构，励磁绕组连接方式，电枢反应，电动机与发电机运行状态 难点：电枢反应，状态转换，换向

《电路》课程教学资源（电子教案）第十七章 非线性电路简介

《电路》课程教学资源（电子教案）第十五章 电路方程的矩阵形式

《电路》课程教学资源（电子教案）第十二章 电路定理