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研究了熔封气氛、熔封温度和熔封时间对玻璃与可伐合金封接件的外观、气密性、结合强度、弯曲次数和玻璃沿引线的爬坡高度的影响.结果表明:熔封气氛的影响很大,随着熔封气氛氧化性的增强,玻璃飞溅程度越来越严重.随着熔封时间的延长或者熔封温度的升高,可伐合金表面为单一FeO或单一Fe3O4氧化膜时与玻璃的结合强度缓慢增加且弯曲次数基本保持不变,双层氧化膜(FeO+Fe3O4或Fe3O4+Fe2O3)与玻璃的结合强度虽然较高,但弯曲次数却明显下降.可伐合金表面氧化膜类型与玻璃沿引线的爬坡高度关系不大,随着熔封温度的升高,玻璃沿引线的爬坡高度下降;而随着熔封时间的延长,玻璃沿引线的爬坡高度急剧下降,当降至140μm后逐渐趋于稳定.推荐的优化工艺条件是:熔封气氛为弱还原气氛,熔封温度在980℃左右,熔封时间为20~30 min
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第一节 大气的特征和卫生学意义 第二节 大气的污染以及大气污染物的转归 第三节 大气污染对人体健康的影响 第四节 大气中主要污染物对体健康的响
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使用石英晶体微天平(QCM)并结合红外透射光谱(IRTS)研究了海洋大气环境和工业大气环境对金属Zn在薄液膜下大气腐蚀的影响.QCM试验表明:研究的几种电解质中,NaCl对Zn的腐蚀最严重,其次是(NH4)2SO4,NaNO3较弱,Na2CO3最轻微.结合红外光谱对腐蚀产物的分析,阐述了各种不同电解质条件下的腐蚀机理
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以氯化钴水溶液为原料在富氧气氛下,采用简单雾化氧化法成功制备了纯净的多面体Co3O4粒子.由CoCl2·6H2O配制成水溶液,以净化的压缩富氧空气为载气和反应气源,应用气流式喷嘴雾化上述溶液,并直接在竖立高温管式电阻炉内进行氧化反应.采用XRD、FT-IR和SEM等手段表征样品的微观形貌结构与纯度.结果表明,在溶液浓度为2.0 mol·L-1、溶液处理量为6.0 L·h-1、反应温度为800℃、雾化压力为0.1 MPa的反应条件下,所得样品为纯净的多面体Co3O4粒子.以所得样品为活性物质,制成电极片,通过循环伏安法和交流阻抗法测试其化学电容性能.结果表明,Co3O4样品在5.0 mol·L-1KOH电解质水溶液中具有较好的电化学电容行为
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分别运用腐蚀速率与暴露时间关系的指数模型(D=ATn,D=ATBeC/T)灰色系统\的GM(1,1)模型和环境综合因子模型预测碳钢和低合金钢的大气腐蚀率,并与挂片暴露试验结果进行比较.结果表明,相同材料在不同的大气环境下有着不同的腐蚀规律,碳钢和低合金钢的大气腐蚀预测可选择不同的预测模型
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本文对计算机辅助气动系统逻辑设计进行了深入研究,选择了逻辑综合的方法作为计算机辅助气动系统逻辑设计基本方法,采用立方符号表述逻辑函数,把逻辑运算表示为立方的相交、相容及锐积运算,提出用判断最小项来完成对给定程序的判断和校正,进而实现了计算机的辅助逻辑综合,得到了最优的逻辑设计结果,并将此应用于计算机辅助气动系统设计中取得了良好的效果
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超临界流体色谱法 (Supercritical!「luid Chromatography SFc 是以超临界流体作为 流动相的一种色谱方法。所谓超临界流体 是指既不是气体也不是液体的一些物质 们的物理性质介于气体和液体之间。超临界 流体色谱技术是2O世纪80年代发展起来的 种崭新的色谱技术。由于宅具有气相和液相 所没有的优点,并能分离和分析气相和液相 色谱不能解决的一些对象,应用厂泛,发畏 十分迅速。据 Chester估计,至今约有全部分 离的25%涉及难以对付的物质,通过超临界 流体色谱能取得较为满意的结果
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设计喷枪置于铁水包后部(相对于扒渣嘴),在扒渣开始前,通过此喷枪向铁水内喷吹气体,气体上浮后排开一定面积渣层,使表面渣向扒渣嘴方向聚集,为下一步扒渣机的操作提供便利条件,从而减少扒渣次数,提高效率,降低铁损.使用1:3.5比例设计铁水包水模型,模拟不同工况下,气体排渣的效果.同时采用数值模拟的方法验证水模实验结果.实验表明喷枪浸入深度从200mm变到400mm,无渣比(无渣区域占总面积的百分比)从10%增加到30%;气体流量从4m3·h-1变到6m3·h-1,无渣比从30%增加到37%.说明浸入深度越大,吹气量越大,排渣的效果越好.数值模拟与水模型符合较好
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在气体吸附分离过程中,吸附床内气体流动过程实质上是一个变质量流动过程.借助二维模型对吸附床内气体的速度分布进行了研究,在模型中考虑了吸附引起的质量变化和床层的径向空隙率的分布.结果表明:(1)多孔介质本身对流动有着重整作用,使流动趋于均匀分布,但是进口端的吸附剂受入口效应的影响较大,在此区域速度呈W形分布,部分区域达到流化状态;(2)在吸附步骤,速度在传质区有着较大的变化,在其他的三个步骤内,速度沿吸附剂床层近似线性变化;(3)降压步骤中,床中气体速度较高,对颗粒冲击较大,易引起摩擦和粉化,应合理控制降压速率;(4)气体吸附引起的质量变化对压力和速度有着重要影响,不能轻易忽略
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11.理想气体的压强仅与下列哪项有关 A、气体的分子数密度; B、气体的温度; C、气体分子的平均速率; D、气体的分子数密度与温度的乘积
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