对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

通过本章的学习，将能够： 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图； 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的； 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺

在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 9.1 显影 9.2 硬烘焙

1.系统函数； 2. 系统的级联与并联结构； 3. 系统函数零极点分布对系统时域特性的 影响； 4. 系统函数零极点分布对系统频率特性的 影响；

1. 离散时间傅立叶变换； 2. 常用信号的离散时间傅立叶变换对; 3. 离散时间周期信号的傅立叶变换； 4. 傅立叶变换的性质； 5. 系统的频率响应与系统的频域分析方法；

1. 双边拉普拉斯变换； 2. 双边拉普拉斯变换的收敛域； 3. 零极点图； 4. 双边拉普拉斯变换的性质； 5. 系统函数； 6. 单边拉普拉斯变换；

（1）小脑从各种传感器获得信号、反馈和命令，构成地址，地址的内容形成各种所需的动作。 （2）输出的动作只限制在最活跃神经中的一个小子集，绝大多数神经元都受到抑制

1、静态系统的辨识，它包括： （1）参数辨识 （2）结构辨识 2、动态系统的辨识 （1）结构辨识 （2）系统行为的辨识

一、模糊逻辑控制器的基本结构 二、模糊控制系统的设计 三、PID 控制器模糊增益调节 四、模糊系统的稳定性分析 五、利用MATLAB设计模糊控制器

相同之处 （ 1） 都是非数值型的非线性函数的逼近器、估计器、和动态系统； （2） 不需要数学模型进行描述，但都可用 数学工具进行处理； （3）都适合于VLSI、光电器件等硬件实现